一种具有0．5dB噪声系数的450～470MHz单片集成LNA.pdf

第 41卷 第 2期 湖 南 大 学 学 报 (自然 科 学 版 ) Vo1．41，No．2 2 O 1 4 年 2 月 JournalofHunanUniversity(NaturalSciences) Feb．20 14 文章编号：1674—2974(2014)02—0091—04 一 种 具 有 O．5dB 噪 声 系 数 的 450～ 470M Hz单 片 集 成 LNA* 曾健平¨，戴志伟 ，杨 浩 ，张海英。，郑新年。 (1．湖南大学 物理与微 电子科学学院，湖南 长沙 410082；2．中国科学院 微电子研究所 ，北京 100029) 摘 要：基于0．5 m赝配高电子迁移率 晶体管(pHEMT)工艺，设计制造 了一款工作 于 450~470MHZ频段的单片集成低噪声放大器 (LNA)，该 LNA采用阻容负反馈的方式 实现输入阻抗匹配，减小了无源元件 占有的芯片面积 ，达到 了单片集成的 目的，同时降低 了 使用成本．测试结果表明，该单