《仪器光电综合实验》_3彩色线阵CCD传感器系列实验_补充阅读材料_.pdf

《仪器光电综合实验》 补充阅读材料 Part 3: 线阵CCD 基本工作原理 指导教师：祝世平 北京航空航天大学 仪器科学与光电工程学院 2014 年 9 月 Part 3 ：彩色线阵 CCD 工作原理 目录 第 1 章 CCD 的基本工作原理 ……………..2  1.1 电荷的存储 2  1.2 电荷耦合 4  1.3 电荷的注入和检测 5  第2 章 TCD2252D 彩色双沟道线阵CCD 图像传感器 7  2.1 TCD2252D 的基本结构 7  2.2 TCD2252D 的工作原理 9  第3 章彩色线阵CCD 多功能实验仪及操作 13  3.1 实验仪的基本原理及技术指标 13  3.2 实验仪的相关说明 15  3.3 软件使用说明 18  1 第 1 章 CCD 的基本工作原理 电荷耦合器件简称为CCD （Charge Coupled Devices ），是20 世纪 70 年代初开始发展起来 的新型半导体器件。从CCD 概念提出到商品化的电荷耦合摄像机出现仅仅经历了四年。其所 以发展迅速，主要原因是它的应用范围相当广泛。它在数字信息存贮、模拟信号处理以及作 为像传感器等方面都有十分广泛的应用。CCD 的突出特点在于它是以电荷作为信号的。CCD 的基本功能是电荷的存贮和电荷的转移。因此，CCD 的基本工作原理应是信号电荷的产生、 存贮、传输和检测。 CCD 主要分为表面沟道和体沟道两种类型。表面沟道 CCD （SCCD ）：电荷包存贮在半导 体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输；体沟道或埋沟道（BCCD ）：电荷包存贮在离半导体 表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一定方向传输。 1.1 电荷的存储 构成 CCD 但基本单元是 MOS （金属-氧化物-半导体）结构。如图 1.1(a)所示，在栅极 G 施加偏压 UG 之前，P 型半导体中将有均匀的空穴（多数载流子）分布。当在栅极上加正电压 UG ，空穴被推向远离栅极的一边，并在绝缘体 SiO2 和半导体的界面附近形成一个缺乏空穴 电荷的耗尽区（表面势阱），如图 1.1(b)所示。随着栅极上外加电压 UG 的提高，耗尽区将进 一步向半导体内扩散。绝缘体 SiO2 和半导体界面上的电势（为表面势）Φ 随之提高，以至 S 于将耗尽区中的电子吸引到表面，形成一层极薄而电荷浓度很高的反型层，如图 1.1(c)所示。 反型层形成时的外加电压称为阈值电压。 图 1.1 CCD 栅极电压变化对耗尽区的影响 21 -3 表面势 Φ 与栅极电压 U 的关系曲线如图 1.2 所示。图 1.2 描述了在掺杂为 10 cm ，氧 S G 化层厚度为 0.1μm ，0.3μm ，0.4μm 和 0.6μm 情况下，不存在反型层电荷时，表面势与栅极电 2 压的关系曲线。从曲线可以看出：氧化层的厚度越薄，曲线的直线性越好。在同样的栅极电 压作用下，不同厚度的氧化层有着不同的表面势。表面势表征了耗尽区的深度。 图 1.2 表面势 Φ 与栅极电压 U 的关系 图 1.3 Φ 与反型层电荷密度