Eu^3+掺杂α-Gd2(MoO4)3荧光粉合成与表征.pdf

维普资讯 第27卷 第5期 发 光 学 报 、_tJ1．27 No．5 2006年 l0月 CH1NESE J0URNAL OF LUM1NESCENCE 0ct．．2006 文章编号：1000—7032(2006)05-0724-05 Eu3+掺杂的o~-Gd2(MoO4)3荧光粉合成与表征 张国有 ，赵晓霞 ，孟庆裕 ，王晓君 (1．内蒙古民族大学 物理系，内蒙古通辽 028043； 2．中国科学院激发态物理重点实验室，吉林 长春 130033；3．中国科学院 研究生院，北京 100049) 摘要：采用固相反应法合成了Eu 掺杂的 。Gd：(MoO)，荧光粉。通过XRD、SEM以及激发和发射光谱对 样品进行了研究，结果发现助熔剂为3％时样品的结晶较好，样品的发光强度最强，并且样品粉末不团聚。光 谱测量的结果表明该荧光粉与其他商品荧光粉不同，其最有效的激发波长不在电荷迁移带范围，其 f跃迁的 465，395nm吸收更强，这就意味着该类荧光粉可作为 目前 已商品化的白光 LED的红色补偿荧光粉，也可作 为近紫外 LED和三基色荧光粉组合型白光器件的红色荧光粉的候选材料。 关 键 词：Gd2(MoO)，；白光LED；荧光粉 中图分类号：0482．31 PACC：7855 文献标识码：A 为主，而其他跃迁均较弱，并且 D。一 F 或 F 跃 1 引 言 迁均在接近红色或红色光谱范围内，因此很多红 在所有稀土离子中，Eu¨是被研究得最多的 色荧光粉均采用Eu¨作为激活剂，两个很典型的 一 个，因为Eu¨具有其独特的光谱性质：首先，在 例子为(Y，Gd)BO3：Eu¨和Y2O3：Eu“ 。另 无机绝缘体材料中Eu¨一般存在强的电荷迁移 一 方面，Eu¨的两个能级 D。和 F。在晶体场中不 带跃迁，并且电荷迁移带的位置随基质组成的不 产生劈裂 ，所以与它们相关的跃迁可作为材料中 同而不同。一般来说，氟化物基质材料中Eu¨的 稀土离子所 占据格位的探针，使研究的问题大大 电荷迁移带能量高于氯化物，氯化物中Eu¨的电 简化 。此外，人们还根据Eu¨光学跃迁矩阵 荷迁移带能量又高于氧化物，这取决于Eu¨附近 元的特点从发射光谱进行辐射跃迁几率的计算， 环境中阴离子的电负性；在同类基质中电荷迁移 从而估算量子效率 ，以及进行电子和声子相互作 带的位置也略有不同，由Eu¨和与其键合的阴离 用的研究，这些已经成为了研究发光材料的标准 子之间的距离所决定。从这一观点来讲，可以通 方法。因此可以说，研究Eu¨光谱性质在理论和 过选择不同的基质材料达到调控 Eu¨电荷迁移 应用研究方面具有双重重要性。 带跃迁位置的目的，从而改变其有效激发吸收位 近年来 ，随着科学和技术的进步，很多领域对 置，制备不同用途的功能材料。但 目前对 Eu¨离 光电子材料提出了更高的要求，新型的光电子材 子的电荷迁移带的理论认识还不够深入，还没有 料不断出现，原有的材料体系的性能不断地改善。 一 个能够定量描述其性质的物理模型，因此这方 稀土离子掺杂的钼酸盐更是一个具有吸引力的闪 面的研究仍很重要 ．2J。一其次，在无机发光材料 烁体和荧光粉材料，Gd(MoO)在室温到熔点 中，Eu¨的可见光发射主要为 D一 F，(J=0，l， 温度 (1160oC)间可以以不同的稳定晶相结构存 2，3，4，5，6)的跃迁，其中最强的跃迁为 D一 F 在，例如单斜相和正交相。如果在室温下其以正 或 F，这取决于 Eu¨在该材料中所 占据的位置 ． 交相存在，那么它能够在 159oC转变为正方晶相； 的对称性 的高低。对称性 高，以磁偶极跃迁