3_半导体基础.ppt

3）集电极基极间反向饱和电流ICBO 4）集电极发射极间的反向饱和电流ICEO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 ICEO=（1+ ）ICBO 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。 2、交流参数 1）共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?VCE=const 2）共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 3）特征频率 fT ?值下降到1的信号频率 fT f ? 1 1）最大集电极耗散功率PCM PCM= iCvCE 3、 极限参数 2）最大集电极电流ICM 3）反向击穿电压 ? V (BR) CBO——发射极开路时的集电结反向击穿电压。 ? V (BR) EBO ——集电极开路时发射结的反向击穿电压。 ? V (BR) CEO ——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系: V (BR) CBO ＞ V (BR) CEO ＞ V (BR) EBO 由PCM、 ICM和VCEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 PCM= iCvCE V (BR) CEO vCE/V 七、温度对晶体管特性及参数的影响 1、温度对ICBO的影响 温度每升高100C ， ICBO增加约一倍。 反之，当温度降低时ICBO减少。 硅管的ICBO比锗管的小得多。 2、温度对输入特性的影响 温度升高时正向特性左移， 反之右移 60 40 20 0 0.4 0.8 iB / mA vBE / V 温度对输入特性的影响 200 600 3、温度对输出特性的影响 温度升高将导致 IC 增大 iC vCE O iB 200 600 温度对输出特性的影响 三极管工作状态的判断 [例1]：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ （1） VC ＝6V　 　VB ＝0.7V　 VE ＝0V （2） VC ＝6V　 　VB ＝4V　 VE ＝3.6V （3） VC ＝3.6V　 VB ＝4V　 VE ＝3.4V 解： 原则： 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏 发射结 饱和 放大 截止 对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE 对PNP管而言，放大时VC ＜ VB ＜VE （1）放大区 （2）截止区 （3）饱和区 [例2]　某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA＝-2mA, IB＝-0.04mA, IC＝+2.04mA, 试判断管脚、管型。 解：电流判断法。 　　电流的正方向和KCL。IE=IB+ IC A B C IA IB IC C为发射极 B为基极 A为集电极。 管型为NPN管。 管脚、管型的判断法也可采用万用表电阻法。 例[3]：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位V1、V2、V3分别为： （1）V1=3.5V、 V2=2.8V、　V3=12V （2）V1=3V、　V2=2.8V、　V3=12V （3）V1=6V、　V2=11.3V、 V3=12V （4）V1=6V、　V2=11.8V、 V3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 　　（1）V1 —b、V2 — e、V3 — c NPN 硅 （2）V1 — b、V2 — e、V3 — c NPN 锗 （3）V1 — c、V2 — b、V3 — e PNP 硅 （4）V1 — c、V2 — b、V3 — e PNP 锗 原则：先求VBE，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于0.2-0.3V，为锗管。发射结正偏，集电结反偏。 NPN管：VBE＞0，　 VBC＜0，即VC ＞ VB ＞ VE 。 PNP管：VBE＜0，　 VBC＜0，即VC ＜ VB ＜ VE 。 解： 复习 1、BJT放大电路三个 电流关系 ？ 2、BJT的输入、输出特性曲线？ vCE = 0V vCE ? 1V vBE /V 3、BJT工作状态如何判断？ * * 模拟电子技术 半导体和二极管 * * * * 模拟电子技术 半导体和二极管 * * 应用举例 整流电路 理想模型 恒压模型 Von 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压vO的