非晶半导体的瞬变电输送.PDF

非晶半導體的瞬變電輸送 理學院物理系 蘇賢錫 一、周IJ 吉 為了明白瞬變電容，核自旋張拙，量子復合噪擾( quantum recombination noise )等現象，以及大多數無序系的普遍性電介質響應( dielectric response ) 無序凝聚系的紅外光發散型低能激發概念，開始占相當重要的位置正1 , 2 , 3 )。 只要一個系統的許多低能激發與特定的粒子發生搞合，紅外光發散現象即可發 生，而因為交互作用電位V 的急速變化，可使這些低能激發發生，故小激發能的密 度為 IVI 2 N(E) E 。在此情形之下，特定躍遷的低能激發數就發散，但其能量 卻是有限的 s 躍遷後的張抽時間遠較沒有紅外光發散型的激發為長正4) 。 就正常結晶固體而言，其躍遷過程如下，由於離子運動的結果，載荷子能夠到 達受激態，而該受激態的能量足夠高，可以引起電躍遷，接著發生急速跳躍 o 從隨 後跳躍的觀點看來，這次急速跳躍可以視作瞬時的，而且環境的張抽根本與此事件 無關。 無序凝聚系的紅外光發散型低能激發，其情形完全不同。由於無限多個低能激 發的張抽產生與張她跟收極其經慢，載椅子在剛躍遷後抵達的受激態近鄰的諸狀態 停留相當時閉，因而確實使隨後的躍遷具有不同的機率。這機率在張抽中滅少，顯 示該機率本身是與時間有關係的躍遷速率。 二、理論及討論 設Q (t) 代表電布停留在一個特定位置的機率。在一般情況之下，這機率可由 下列簡單的速率方程式算出: dQjdt =-，月TQ (1) 式中， W為躍遷速率。由前面的說明可知，紅外光發散型激發需要不同的方程式 dQjdt=-W1f(t)Q (2) 一 583 一 的大學報 第二十八期 式中， f ( t )可以求出，其結果如下(}) f(t)--t-n 不同於 式中 ， t 不甚小，而且0 n 1 0 W 。苦紅外光發散型激發的成分誠 W 1 n → 少，則 o ，而也)式→(1)式。由(2) 式的解知 lim Q (t ) :::: 0 t 一《幻 亦即， t →∞.時，躍還速率誠小 o 本文的目的在於探討非晶材料的瞬變輪運。在Scher -Montroll ( S - M )模 型中叫，肘，由於對周圍的位置發生轉移的結果，機率Q ( t )依照下列方程式而 襄誠: dQ/dt =一玄W( Li ) Q 式中， W (1: )為躍遲到z 處位置的躍邊遠率。在非晶材料中，最近鄰局限位置之 間的距離之變化，以及與該位置之間的位疊( potential barrier )之變化，導致 以下構想:該材料可分割成為幾近姐則性等教格子(每一格子包含跳躍載荷子可資 用的無規分布局限位置) ，並且假設這些格子之間有非截起酷還速率諾( non- truncaled transìtion rate spectrum ) ，意郎，在任意時間t