第二次习题解答.pptxVIP

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2017-05-23 发布于浙江
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第二次习题解答.pptx

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第二次习题解答

第三章习题解答;1、列表说明PIN和APD的结构、工作电压和工作机理的特点。;2、比较半导体激光器（LD）和发光二极管（LED）的异同。;3、当E-Ef ≤ -5KBT、E-Ef ≥ 5KBT时，分别计算Fermi分布函数的大小，并说明其物理意义。;4、试证明：带隙Eg用eV（电子伏特）作单位时，Eg与发光波长λ（μm）之间的关系为：;5、一个GaAs激光二极管管发出红外光，其波长λ =850 nm，输出光功率P=5mW。试问：（1）该红外光中单个光子的能量是多少？（2）该激光二极管每秒钟发射多少个光子？;6、利用GaAs半导体材料做成激光二极管，已知GaAs的导带和价带的能级Eg=Ec-Ev=2.176×10-19J，试问：（1）发出的激光的波长是多少？（2）用eV（电子伏特）作单位时的Eg等于多少？;7、设激光器激活物质的高能级和低能级的能量各为E2和E1，频率为f，相应能级上的粒子密度各为N2和N1。试计算。（1）当f=3000MHz???T=300K时，N2/N1=? （2）当λ =1 μm，T=300K时，N2/N1=? （3）当λ =1μm，若N2/N1=0.1。环境温度T=？（按波尔兹曼分布规律计算。）