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シリカガラスの光学的性質 福井大学 工学部 葛生 伸 * * シリカガラスの伝送損失 D. L. Griscom, J. Ceram. Soc. Jpn. 99, 923 (1991) 赤外線領域の光吸収 Si-OH，Si-Hなどの末端構造に起因するもの 骨格の振動などに起因するもの ? 末端構造濃度の定量 ? 結合角分布 　　→ 仮想温度の推定 R. Brückner, J. Non-Cryst. Solids, 5, 123 (1970) シリカガラスの分光透過率 OH基関連の吸収： 1.4 mm，2.2 mm，2.7　mm ドライゲルを各温度て時間加熱処理したときの近赤外吸収スペクト ル Wook et al., J Am. Ceram. Soc. 66, 693 (1983) シリカゲル体 (Cabasil) のOH関連赤外吸収スペクトル オリジナル 室温脱気 500 ?C 脱気 800 ?C 脱気 粟津浩一「非晶質シリカ材料応用ハンドブック」リアライズ(1999) p.70;　原典 M. L. Hair, J. Non-Cryst. Solids 19, 299 (1975) OH OH 関連の赤外吸収スペクトルについては下記参照: K. M. Davis and M. Tomozawa, J. Non-Cryst. Solids, 201, 177 (1996). J. E. Shelby, J. Appl. Phys. 50, 3702 (1979) SiOHとSiHによる吸収 rad γ線照射量 H2 = 6.5 ×1020 cm-3 モル吸光係数 eH = (0.45±0.06) eOH eOH = 77.5 dm3 mol-1 cm-1 G. Hetheringhton and K. H. Jack, Phys. Chem. Glass, 3, 129 (1962) 赤外反射および吸収スペクトル ? 表面付近の情報 ? バルクの情報 A. Agarwal, K. M. Davis, and M. Tomozawa, J. Non-Cryst. Solids, 185, 191 (1995) 1122 cm-1 ピーク ← Si-O-Si結合の非対称振動 　　モード 2260 cm-1 ピーク ← 1122 cm-1 ピークの倍音 J. T. Fitch et al. J. Vac. Sci. Tech. B7, 153 (1989) 酸化温度 シリコン酸化膜の赤外吸収スペクトル 1160 cm－1反射ピーク位置とSi-O-Si結合角との関係 nref : 反射スペクトルから得られたピーク位置 n : Kramers-Kr?nigの関係式から得られたピーク位置 q : Si-O-Si結合角 m = 2.676×10-26 kg : 酸素原子の質量 a = 5.305×10-12 s/cm a = 600 N/m b = 100 N/m A. Agarwal, K. M. Davis, and M. Tomozawa, J. Non-Cryst. Solids, 185, 191 (1995) 各種シリカガラスの紫外～真空紫外分光透過率 紫外～真空紫外領域の吸収 (固有の吸収) エネルギーバンドによる吸収 バンドギャップ ≈ 9 eV エキシトンによる吸収 ≈ 8.5, ≈ 11.5 eV, Urbach 端 欠陥構造による吸収 末端構造による吸収 ≡SiSi≡， ≡Si???Si≡， ≡Si? ≡Si-OH, ≡Si-Cl 溶存気体分子による吸収 O2, Cl2 バンドギャップよりも短波長領域での吸収スペクトル O. M. Sorokin et al. Opt. Spectrocs. 35, 291 (1973) 1～3: NaCl またはKCl上にスパッタ後基板を溶解除去 　　1. 70 nm 　　2. 130 nm, 3. 140 nm 4, 5: 反射スペクトル バンドギャップよりも高エネルギーでの吸収スペクトル Z. W. Weinberg et al. Phys. Rev. B19, 3107 (1979) 反射スペクトル をK-K変換 エキシトンによる吸収 シリカガラス薄膜の８～９ eV領域での吸収スペクトル A. Appleton et al. Physics of SiO2 and its interface, S. T. Pantelides Ed. (1978) p.94 エキシトン吸収帯 8.7, 8.55, 8.45 eV エキシトンによる吸収 7.4～8.8 eV領域の光吸収スペクトルの温度依存性 Urbach端 エ