模拟电子技术基第11讲 金属-氧化物-半导体场效应管.pptVIP

4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 当VGS＞VT，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS的不同变化对导电沟道和漏极电流ID的影响。 * 4.1 结型场效应管 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 4.4 场效应管放大电路 学习指导 小结 作业 概述 增强型MOS场效应管 耗尽型MOS场效应管 MOS场效应管分类 JFET的直流输入电阻虽然可达106-109Ω，但这个电阻从本质上讲是PN结的反向电阻，由于反向电流的存在，限制了输入电阻的提高。MOSFET的栅极处于不导电的状态，所以输入电阻很高，可以达到1015Ω。 MOS场效应管 N沟道增强型的MOS管 P沟道增强型的MOS管 N沟道耗尽型的MOS管 P沟道耗尽型的MOS管 一、N沟道增强型MOS场效应管结构 增强型MOS场效应管 漏极D→集电极C 源极S→发射极E 绝缘栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 由于栅极与 源极、漏极之间 均无电接触，故 称绝缘栅极。 箭头方向由P（衬底）指向N（沟道） 当VGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 当VGS=VT时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在VDS的作用下形成iD。 二、N沟道增强型MOS场效应管工作原理 VDS iD + + - - + + - - + + + + - - - - VGS 反型层 当VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结，无论VDS之间加什么电压都不会在D、S间形成电流iD，即iD≈0. 当VGSVT时, 沟道加厚，沟道电阻减少，在相同VDS的作用下，iD将进一步增加。 开始时无导电沟道，当在VGS?VT时才形成沟道,这种类型的管子称为增强型MOS管 一方面 MOSFET是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 增强型MOS管 VDS=VDG＋VGS =－VGD＋VGS VGD=VGS－VDS 当VDS为0或较小时，相当VGD＞VT ,此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。在VDS作用下形成ID 增强型MOS管 另一方面，漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 当VDS增加到使VGD=VT时， 当VDS增加到VGD?VT时， 增强型MOS管 这相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。此时的漏极电流ID 基本饱和。 此时预夹断区域加长，伸向S极。VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上，ID基本趋于不变。 另一方面，漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 VGD=VGS－VD S 三、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 增强型MOS管 iD=f(vGS)?vDS=c 转移特性曲线 iD=f(vDS)?vGS=c 输出特性曲线 vDS(V) iD(mA) 当vGS变化时，RON将随之变化，因此称之为可变电阻区 恒流区(饱和区)：vGS一定时，iD基本不随vDS变化而变化。 vGS/V 一、N沟道耗尽型MOS场效应管结构 耗尽型MOS场效应管 + + + + + + + ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 耗尽型MOS管存 在原始导电沟道 耗尽型MOS管 二、N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理 当VGS=0时，VDS加正向电压，产生漏极电流iD,此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用IDSS表示。 当VGS＞0时,将使iD进一步增加。 当VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至iD=0，对应iD=0的VGS称为夹断电压，用符号VP表示。 VGS(V) iD(mA) VP N沟道耗尽型MOS管可工作在VGS?0或VGS0 N沟道增强型MOS管只能工作在VGS0 耗尽型MOS管 三、N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线 输出特性曲线 VGS(V) iD(mA) VP 转移特性曲线 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型