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绝缘体硅片(SOI) 页码，1/4 绝缘体硅片(SOI) 绝缘体体硅片(SILICon-on-insulator，SOI) 技术是是种在硅在在与硅集集电路巨巨集巨巨巨础体上现 新技术。随着信信技术巨飞速发展，SOI技术在在速在电子子子、低压/低巨低子子、抗辐照电路、在温 用信信技术术域巨优势逐渐凸现，被国际体上认认是“二二是二纪巨在电子技术”、“新是新硅”。 SOI是SILICon －on －Insulator巨缩写，称绝缘硅。随着芯片 限问问接接接来，如电容损低、漏电流增巨、噪声提提、闩闩 运接而。作认为准CMOS工艺巨是种改进技术，SOI技术通过在 MOS工艺技术恰恰恰恰)，从接将活跃巨晶体晶元子恰元元离。 是个晶体晶门电路，不让多多巨电子渗漏漏硅晶圆体。SOI子子 在、巨低低、耐在温、抗辐射射优点，越来越越业界巨青睐， 利利、AMD 、台积电和和和射和和和用SOI技术而产各种SOI I SOI中“工工工巨”巨基基基基和层构集： （1）薄薄巨单晶硅顶层，在在体在集蚀刻电路 （2）恰当薄巨绝缘二氧工硅中间层 （3）非非非巨体非衬底硅衬底层，在其其作用是认体上巨两层提提提提提撑。 目目目目SOI晶圆巨的的其其器两种：是是一氧元离的（SIMOX ））二是二二剥离的（Smart-cut ）。 一注漏硅晶圆中，一注剂量约认1018/cm2，然和在然然气体中进行≥1300℃在温退退5h，从接在硅晶圆 的巨优点是硅薄层和SiO2埋层巨非的的的确控目，在其点是基是氧一注会引引对硅晶硅巨硅硅，导致硅 hnology上公。该上公不仅目目SOI晶圆，接而而产巨大流专用氧离子输注提。但是该上公是2004年7月 二二剥离的是利用中射剂量氧离子一注，在是个硅晶圆中在集气流层，然和在低温基与另是个硅晶圆 气流层剥离上来，最和经CMP使硅使上层光光。该的的巨优点是硅薄层其缺缺的低，硅薄层和Si02埋层非 该上公二量产 200/ 300mmSOI晶圆，二提提各种硅薄层和SiO2埋层非的巨SOI晶圆，其其器3个品种， φ φ BOND。 SOI晶圆分非层和薄层晶圆两种。非层SOI晶圆适用是目目巨巨用IC，在压子子、MEMS传感子和红外 射。非层SOI MOS子子巨硅使上层非的巨是2倍栅基最巨低尽层区宽的。薄层SOI MOS子子巨硅使上层非 薄时，SOI MOD子子从PD向FD转转，目目SOI子子目目器器致器是发展FD SOI子子，现在巨多数PD SO 二器是能SOI子子器分低尽，接另是能子子则全器低尽，当厚是50nm时，SOI子子全器低尽，ITRS2001 器硅使上非的达10－16nm，2006年PD顶器硅使上层非的达42 －70nm，FD顶器硅使上层非的达8－14n 亚亚值斜用，较厚巨小沟道，窄沟道道应和和全和和Kink道应射优点，芯别适用是在速、低压、低巨低 m、1亿个晶体晶巨在速CMOS 电路。 SOI技术新使代在电子和光电子术域巨和进而产器发展的向，拥器极在广泛巨应用术域和发展目展， 工艺技术恰相，SOI工艺技术将使晶体晶器器具具巨开开速的，从接认那能其那在然二、在速的和低巨低 被优工认超低巨低超超，满足足携式应用巨低巨低其那。 国际著著在电子上公，如IBM上公、Intel上公、AMD上公无不竞恰和用SOI技术发展在新是新产品。 绝缘体硅片(SOI) 页码