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晶体硅太阳电池内阻对其输出特性的影响分析

第 36卷  第 1期 Vo l. 36 No. 1 2008年 1月 J an.  2008 晶体硅太阳电池内阻对其输出特性的影响分析 唐文芳 ,丁宣浩 ,李  兵 (桂林电子科技大学 数学与计算科学学院 ,广西 桂林  54 1004) ( ) 摘  要 :从太阳能电池输出特性方程出发 ,经由理论作图 U - I 曲线 分析晶体硅太阳电池内阻对其输出特性 的影响 ,通过数值计算 ,说明当晶体硅太阳电池的并联内阻大于 100 Ω时可以忽略 。在此基础上 ,得到电池串 联内阻与输出电流 、电压之间的函数表达式 ,只要实测出某一确定光照强度及温度下负载的任意一组电流 、电 压值 ,计算相应的串联内阻值 ,进一步计算最大功率点处的电流 、电压及负载值 ,可为最终的最大输出功率跟 踪提供一种简便方法 。 关键词 :太阳能电池 ;并联内阻; 串联内阻;最大输出功率点跟踪 ( ) ( ) 基金项 目: 国家 自然科学基金资助项 目 1036 1003 ;广西省自然科学基金资助项 目 0542046 ( ) 作者简介 :唐文芳 1983 ,女 ,硕士研究生 ,研究方向为太阳能光伏发电、小波分析 。 中图分类号 : TK6  文献标识码 : A   文章编号 : 100 19529 (2008) 010 112 03 Influence of in terna l resistances on output character istics of cry sta lline silicon solar cells TAN G W en f ang, D IN G X uan hao ( School of M athem atics Comp uting Science, Gu ilin U n iversity of E lectron ic Techno logy, Gu ilin 54 1004 , Ch ina) A b stract:B a sed on the p recise outpu t characteristic equation for the crystalline silicon so lar cell, the influence of its in ternal re sistance on its ou tp ut characteristic is analyzed by u sing the U I curve, and num erical compu tation s show Ω that the shunt re sistance of the crystalline silicon solar cell can be

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