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4069 组成的正弦波逆变器 逆变器（见图）主要由MOS 场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决 于MOS 场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱 好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。 工作原理 这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。 方波信号发生器（见图3） 图3 这里采用六反相器CD4069 构成方波信号发生器。电路中R1 是补偿电阻，用于改 善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1 充放 电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为： fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率 fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差 异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。 场效应管驱动电路。 图4 由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开 关电路，这里用TR1、TR2 将振荡信号电压放大至0~12V。如图4 所示。 MOS 场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应 管的工作原理。 图5 MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor （金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两 种。本文使用的为增强型MOS 场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN 型 PNP 型。NPN 型通常称为N 沟道型，PNP 型也叫P 沟道型。由图可看出，对于N 沟道的场效应管其源极和漏极接在N 型半导体上，同样对于P 沟道的场效应管其 源极和漏极则接在P 型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出 的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以 认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也 是我们称之为场效应管的原因。 图6 为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N 结的二极管 的工作过程。如图6 所示，我们知道在二极管加上正向电压（P 端接正极，N 端 接负极）时，二极管导通，其PN 结有电流通过。这是因为在P 型半导体端为正 电压时，N 型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P 型半导体端，而P 型半导体端内的正电子则朝N 型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二 极管加上反向电压（P 端接负极，N 端接正极）时，这时在P 型半导体端为负电 压，正电子被聚集在P 型半导体端，负电子则聚集在N 型半导体端，电子不移动， 其PN 结没有电流通过，二极管截止。 图7a 图7b 对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极 之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压 加在N 沟道的MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N 型半导体的源 极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集 在两个N 沟道之间的P 型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极 之间导通。我们也可以想像为两个N 型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相 当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。图8 给出了P 沟道的MOS 场效应管的工作过程，其工作原理类似这里不再重复。 图8 下面简述一下用C-MOS 场效应管（增强型MOS 场效应管）组成的应用电路的工 作过程（见图9）。电路将一个增强型P 沟道MOS 场效应管和一个增强型N 沟道 MOS 场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P 沟道MOS 场效应管导通， 输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N 沟道MOS 场效应管导通，输出 端与电源地接通。在该电路中，P 沟道MOS 场效应管和N 沟道MOS 场效应管总是 在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工