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第六章 存储系统 第一节 存储器概述 第一节 存储器概述 第二节 随机存取存储器和只读存储器 二、半导体只读存储器 1、掩模型只读存储器 MROM 2、可编程（一次编程型）只读存储器 PROM 3、可擦除可编程（可重编程）只读存储器EPROM 例如：2716 EPROM（2K*8位） 4、电擦除可重写只读存储器EEPROM（E2PROM） （1）字擦除方式 （2）数据块擦除方式 闪速存储器 Flash EPROM 第三节 高速存储器 一、 双端口存储器 存储体 地址总线L 数据总线L 控制命令L 读写控制电路L 地址总线R 数据总线R 控制命令R 读写控制电路R 二、 多体并行交叉存储器 三、 相联存储器 第四节 Cache存储器与虚拟存储器 复杂、速度慢 简单 地址转换 不透明 透明 透明性 以软件为主 硬件 实现技术 扩大了主存储器的容量 提高了主存储器的速度 功能 虚拟存储器 Cache 第五节 辅助存储器 一、 磁表面存储器 二、 光盘存储器 1、磁带存储器 2、磁盘存储器：硬盘 三、 移动存储设备 第六节 磁盘阵列RAID 一、RAID0 用户和系统数据分布在阵列的所有磁盘上，有可 能实现多个条区并行处理 二、RAID1 磁盘镜像 三、RAID2 海明码 四、RAID3 奇偶校验 第六节 磁盘阵列RAID 五、RAID4 独立存取 六、RAID5 校验块循环分布 读 写 读 写 读 写 读 写 行 （字） 译 码 0110 1011 1010 0101 VCC A0 A1 0 1 2 3 第六章 存储系统 * 第六章 存储系统 一、存储系统：由多种不同工艺的存储器组成 二、存储器分类： 1、按存储介质：半导体、磁介质、光介质等。 2、按信息的可保存性：易失性、非易失性 3、按存取方式：RAM、ROM、SAM、DAM 4、按在计算机系统中的功能： 主存储器、辅助存储器、Cache存储器和控制存储器 三、存储器的主要技术指标：容量、速度、位价格 四、存储系统的分层结构： CPU寄存器 cache 主存 辅助存储器 脱机大容量存储器 1、静态 RAM 芯片(SRAM) （1）静态 MOS 存储单元电路举例 一、 RAM 芯片 所用器件主要有双极型和MOS型两类，可分为 SRAM芯片和DRAM芯片两种。 SRAM特点：存取速度快、集成度低、功耗大 DRAM特点：存取速度较SRAM慢、集成度高、 功耗小 ? 定义： T1导通、T2截止，存“0” T2导通、T1截止，存“1” ? 保持状态： 行选择线Xi 低，T5、T6管截止 U V ? 工作状态： 写“1”操作：行选择线Xi加高电平，位线 加高电平，使 T1截止、 T2导通（“1”状态） 写“0”操作：行选择线Xi加高电平，位线 加低电平，使 T2截止、 T1导通（“0”状态） 读操作：行选择线Xi加高电平 U V 若原存“1”: T2导通,电流从B线 T6 T2，读“1”线有电流 若原存“0”: T1导通,电流从 线 T5 T1，读“0”线有电流 读结束: 行选择线Xi加低电平 （2）SRAM 存储芯片举例 （Intel 2114） 内部结构(1K*4位) 每个位平面1024单元（64行*16列） A3 A4 A5 A6 A7 A8 行地址译码 B B 数 据 输 入 数 据 输 出 列I / O电路 列地址译码 64×64 =4096 (1K×4) I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 A0 A1 A2 A9 y0 y15 cs we 内部结构 （2）SRAM 存储芯片举例 （Intel 2114） ?输入：片选CS、写命令WE均为低（电平），打开 输入三态门，数据总线 M。 ?输出：片选CS低、写命令WE为高（电平），打开 输出三态门，M 数据总线。