半导体物理作业(五)答案.pdf

半导体物理作业（五） 学号： 姓名： 1/5 页 第五章非平衡载流子 1．基本概念 1）什么是非平衡载流子？ 答：由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布， 称这些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子，也称为非平衡载流子 2 ）什么是小注入条件？ 答：一般情况下，注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小得多。 对于 n 型半导体，Δn n0 ，n ≈n0 ；对于p 型半导体，Δp p 0 ，p ≈p 0 3 ）什么是准费米能级？ 答：统一的费米能级是热平衡状态的标志，当半导体的热平衡状态被打破时，新 的热平衡状态可通过热跃迁实现，但导带和价带间的热跃迁较少。导带和价带各 自处于平衡态，因此存在导带费米能级和价带费米能级，称其为“准费米能级” 4 ）什么是载流子的产生和复合？ 答：载流子的产生就是电子和空穴（载流子）被创建的过程；而载流子的复合就 是电子和空穴（载流子）消失的过程。产生和复合会改变载流子的浓度，从而间 接地影响电流。 5 ）什么是间接复合？ 答：禁带中存在复合中心，电子与空穴的复合分为两步。第一步，电子由导带 E 进入复合中心 E ；第二步，电子由复合中心E 进入价带 E （或空穴被俘获）。 C t t V 6 ）什么是俄歇复合？ 答：载流子从高能级向低能级跃迁，发生电子-空穴复合时，将多余的能量传给另一载流子， 2 使此载流子被激发到能量更高的能级上去，当它重新跃迁回低能级时，多余的能量以声子形 dp ∂ p ∂p ∂E Δp μ μ 式放出。 D =− E − p +g − p 2 p p p dt ∂x ∂x ∂x τ p 7 ）分别写出n 型材料和 p 型材料的少子浓度随时间变化的连续性方程 答：n 型材料空穴浓度随时间变化的连续性方程 2 dp ∂ p ∂p ∂E Δp D − E − p +g − p 2 μp μp p dt ∂x ∂x ∂x τ p p 型材料电子浓度随时间变化的连续性方程 2 dn ∂ n ∂n ∂E Δn μ E μ D − − n +g − dt n ∂x 2 n ∂x n ∂x n τ n 2 ．在一个n 型锗样品中，过剩空穴浓度为 1013cm-3 ，空穴的寿命为 100μs 。计算 空穴的复合率。 13 Δp 10 17 3 解：U = =10 /cm ·s −6 τ 100×10 半导体物理作业（五）