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第四章 光电导探测器 光电子技术 §4-1 光电导探测器的工作原理　 1. 定义 光照变化引起半导体材料电导变化的现象称光电导效应。 （内光电效应，photoconductive PC） 当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大。 电导率的改变通过电量测量来获得。 2．半导体的暗电导率 半导体的电导率定义　　 3．光辐射改变半导体的电导率 杂质型光电导效应：对于Ｎ型半导体，当入射光子的能量等于或大于杂质电离能ΔＥi时，将施主能级上的电子激发到导带而成为导电电子，在外电场的作用下，形成光电流。 本征型用于可见光长波段,杂质型用于红外波段。 4．光电导计算 5．光电导电流增益（G） 定义 6. 光电导弛豫过程 光电导材料从光照开始到获得稳定的光电流是要经过一定时间的。同样光照停止后光电流也是逐渐消失的。这些现象称为弛豫过程或惰性。 对光电导体受矩形脉冲光照时，常有上升时间常数τr和下降时间常数τf来描述弛豫过程的长短。τr表示光生载流子浓度从零增长到稳态值63%时所需的时间，τf表示从停光前稳态值衰减到37%时所需的时间。 7. 光电导的光谱分布 利用具有光电导效应的材料（如硅、锗等本征半导体与杂质半导体，硫化镉、硒化镉、氧化铅等）可以制成电导随入射光度量变化器件，称为光电导器件或光敏电阻。根据半导体材料的分类，将光敏电阻分为两种类型—本征型半导体光敏电阻和掺杂型半导体光敏电阻。 1.光电导探测器的光电流 2.光电导探测器的工作模式及等效电路 光敏电阻两端加电压（直流或交流）。无光照时，阻值（暗电阻）很大，电流（暗电流）很小；光照时，光生载流子迅速增加，阻值（亮电阻）急剧减少。在外场作用下，光生载流子沿一定方向运动，形成光电流（亮电流）。 2.1 基本偏置电路 探测器上的偏置电压与Rd无关U0=VA,基本恒定,流过RL输出的电流信号为 在半导体中,电子和空穴的寿命是相同的 光敏电阻的主要噪声有热噪声、产生复合和低频噪声(或称1/f噪声)。 电流灵敏度 六、频率响应及响应时间 七、前历效应 中态前历效应数值越小越好。 1、Hg1-xCdxTe光电导探测器件 2、InSb光电导探测器 4、PbS光敏电阻 §4-4 光敏电阻的变换电路 恒流电路(RLR) 恒压电路(RLR) 恒功率偏置电路(RL=RD) 伏安特性 ③信噪比S/N 当系统噪声以放大器的热噪声为主时,与偏置方式无关(即与RL的取值无关) 当系统噪声以探测器的热噪声为主时 恒流偏置S/N匹配偏置S/N恒压偏置S/N 小结 没有特殊要求的情况下,通常采用负载匹配偏置,RL=Rs 根据Ub=IL(RL+Rs),计算出Ub,但 ,否则需重新设计选定 例题 设某只CdS光敏电阻的最大功耗为40mW,光电导灵敏度Sg=0.5×10-6s/lx，暗电导g0=0,试求当CdS光敏电阻上的偏置电压为20V时的极限照度。 设某光敏电阻在100lx的光照下的阻值为2KΩ且已知它在90～120lx范围内的γ=0.9。试求该光敏电阻在110lx光照下的阻值 已知某光敏电阻在500lx的光照下的阻值为550Ω，而在700lx的光照下的阻值为450Ω。试求该光敏电阻在550lx和600lx光照下的阻值 在如图所示的照明灯控制电路中，将CdS光敏电阻用作光电传感器，光电导灵敏度Sg=0.5×10-6s/lx，暗电导g0=0,若已知继电器绕组的电阻为5KΩ，继电器的吸合电流为2mA，电阻R=1KΩ。求为使继电器吸合所需要的照度。要使继电器在19lx时吸合，问应如何调整电阻器R？ 照相机电子快门 当输出电压为9V时，设流过光敏电阻的电流为I3，阻值为R3，则 R3=900Ω 代入γ值的计算公式便可以计算出输出电压为9V时的入射照度E3 E3=196(lx) 由γ值的计算公式可以找到500lx时的阻值R4及 三极管的输出电流I4为 R4=214Ω I4=24.7(mA) 光敏电阻的符号和连接电路如图 图(a)中的输出电压与入射光通量的变化反相；而图(b)中的输出电压于入射光通量成同相。 在入射光通量变化范围一定的情况下，为了使输出电压Vo变化范围最大，一般取 RL=RG 当入射光通量Φ跳跃变化时， RL＝(RG max × RG min )1/2 补充： 证明：当入射光通量跳跃变化时， RL＝(RG max × RG min )1/2 证明：设两个光强时的光敏电阻值分别为RG max和RG min 则两个状态下的电流差为： 则两种状态下光敏电阻