第1章 -半导体二极管及其应用电路.pptVIP

《模拟电子技术》;第1章 半导体二极管及其应用电路 ;1.1 半导体的基础知识;1.1.1 半导体的导电特性;二、本征半导体 半导体按其是否掺入杂质来划分，又可分为：本征半导体和杂质半导体。 完全纯净的、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。;（1）本征半导体的原子结构及共价键 共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子组成，称为束缚电子。图1-1所示为硅和锗的原子结构和共价键结构。 ;图1.1 硅和锗的原子结构和共价键结构 ;（2）本征激发现象 当温度升高或受光照射时，共价键中的价电子获得足够能量，从共价键中挣脱出来，变成自由电子；同时在原共价键的相应位置上留下一个空位，这个空位称为空穴。 在本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，所以称之为电子—空穴对。本征激发所产生的电子空穴对如图1-2所示。 ;图1-2 本征激发产生电子—空穴对;在外电场或其他能源的作用下，邻近的价电子和空穴产生相对的填补运动。这样，电子和空穴就产生了相对移动，它们的运动方向相反，而形成的电流方向是一致的。由此可见，本征半导体中存在两种载流子：电子和空穴，而导体中只有一种载流子：自由电子，这是半导体与导体的一个本质区别。 ;图1-3 束缚电子填补空穴的运动;三、杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半导体。 （1） P型半导体 在纯净的半导体材料硅（或锗）中掺入微量的三价元素（如硼），则可构成P型半导体。; 因3价元素只有3个价电子，在与相邻的硅（或锗）原子组成共价键时，由于缺少一个价电子，在晶体中便产生一个空位，邻近的束缚电子如果获取足够的能量，有可能填补这个空位，使原子成为一个不能移动的负离子，半导体仍然呈现电中性。如果满足本征激发条件，半导体中也会产生电子—空穴对。如图1-4所示。;图1-4 P型半导体共价键结构与简化示意图 ;P型半导体的特点： 多数载流子为空穴； 少数载流子为自由电子。 （2）N型半导体 在纯净的半导体材料硅（或锗）中掺入微量的五价元素（如磷），则可构成N型半导体。 因磷原子有5个价电子，它取代硅（或锗）原子，而与相邻的4个硅（或锗）原子组成4个共价键时，因多出的一个价电子，这个电子便成为自由电子。如图1-5所示。;图1-5 N型半导体的共价键结构及其简化示意图 ;N型半导体的特点： 多数载流子为自由电子； 少数载流子为空穴。 结论： 杂质半导体中的多数载流子的浓度与掺杂浓度有关；而少数载流子是因本征激发产生，因而其浓度与掺杂无关，只与温度等激发因素有关。 ;1.1.2 PN结;图1-6 P型和N型半导体交界处载流子的扩散 ; 因电子与空穴在扩散过程中会产生复合，所以扩散的结果使P区和N区原来的电中性被破坏，在交界面靠近P区一侧留下了不能移动负离子，靠近N区一侧留下了等量的正离子。P区和N区交界面两侧形成的正、负离子薄层，称为空间电荷区。; 由于空间电荷区的出现，建立了PN结的内电场。电场的出现阻碍了扩散运动的进行，却有利于少数载流子的漂移运动，当两种运动达到动态平衡时，形成的稳定空间电荷区就是所谓的PN结。如图1-7所示。;图1-7 PN结的形成 ;二．PN结的单向导电性 PN结最基本的特性就是单向导电性，即外加正向电压时，PN结导通；外加反向电压时，PN结截止。 （1）外加正向电压 当PN结加上正向电压，即P区接电源正极，N区接电源负极。此时，称PN结加正向偏置电压，简称“正偏”，如图1-8所示。 ;图1.8 PN结外加正向电压 ;（2）外加反向电压 P区接电源的负极，N区接电源的正极，称为PN结外加反向电压，又称为PN结反向偏置，简称“反偏”，如图1-9所示。 在常温下，由于少数载流子有限，因而反向电流十分微弱，近似为零，所以称为反向截止。 ;图1-9 PN结外加反向电压 ;三．PN结的反向击穿特性 所谓反向击穿，是指当PN结的反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大的现象。PN结的击穿现象有下列两类：;（1）雪崩击穿 当外加反向电压超过某一值时，PN结内的少数载流子受电场力的加速作用，获取较大的动能，在前进过程中与原子核发生碰撞，因碰撞出产生新的电子—空穴对，造成载流子的猛增，使反向电流急剧增大，这种形式的PN结击穿称为雪崩击穿。 ;（2）齐纳击穿 在掺杂浓度较大的PN结中，空间电荷区极窄（微米数量级），这样较小的反向电压就能使空间电荷区形成很强的电场，强电场足以破坏共价键，将束缚电子从共价键中分离出来，产生大量的电