Al-20 Si合金初生硅宏观偏聚和细化的试验研究.pdfVIP

学兔兔 Sep．2013 铸 造 V01．62 N0．9 FOUNDRY ·865 · 一 · 、● ■^● ^’、● ·^●u■， ■^ · ； 应用技术 { 、^● ‘r●、 ●_^，■～ ’■～ ‘●_^一 一 Al一2O％Si合金初生硅宏观偏聚和细化的试验研究 贾海龙，张海涛，左克生，何立子，崔建忠 (东北大学材料 电磁过程教育部重点实验室，辽宁沈阳 110819) 摘要 ：利用铜楔形模铸造，通过凝固过程测温，研究了浇注温度、变质剂对A1—20％Si合金初生硅宏观偏聚的影响， 及冷却速率对P、Cr和P—Cr复合变质A1—20％Si合金凝固过程中初生硅形貌和大小的影响规律。结果表明：850℃浇注 得到的试样初生硅的宏观偏聚最少，就变质剂对初生硅宏观偏聚效果 ，cr变质的明显改善 ，P—Cr复合变质与cr变质 效果相差不多，但远优于P变质；变质剂对初生硅细化和球化作用，P变质效果最好 ，P．Cr复合变质次之，都大幅好 于Cr变质的效果 ；初生硅细化效果随冷却速率增加而增强，但当冷却速率在某区间时，初生硅大小随冷却速率的变 化不敏感。获得宏观偏聚少，形貌好 ，尺寸小于20ixm的初生硅的最佳工艺条件为 ：采用P．Cr复合变质 ，850℃浇 注，冷却速率大于10~C／s。 关键词：A1—20％Si合金；初生硅；宏观偏聚；细化 中图分类号：TG292 文献标识码：A 文章编号：1001—4977 (2013)09—0865—06 ExperimentalStudyonMacro—SegregationandRefinement OfPrimarySiinAI一20％SiAlloy JIA Hai-long，ZHANGHai-tao，ZUOKe—sheng，HELi-zi，CUIJian—zhong (KeyLaboratoryofElectromagneticProcessingofMaterialsofMinistryofEducation，Northeastern University，Shenyang 110819，Liaoning，China) Abstract：Theeffectsofmodifiersandpouringtemperatureonmacro—segregationandmodificationofprimary SiinA1．20％Sjalloyunderdifferentcoolingratewasinvestigatedwithwedge．shapedmould meanwhilethe effectsofPandcombinedadditionofPandCronAl一20％SiwerealsosutdiedinthisPaper．Theresultsshowthat theoptimalpouringtemperautreis850℃ ．SergegationofprimarySicouldbeinhibitedwiththeadditionof modifiers．Sergegationofprimary SiwiththeadditionofCrimprovedsignificantly,SOisthatofcombined additionofPandCr,andtheva1lbetterthanthatwiththeadditionofP．TheprimarySipanicleswerewell modifiedbyCr,PorcombinedadditionofPandCr，butPhasabettermodificationeff