硅集成电路光刻技术的发展与挑战.pdfVIP

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第卷第期半导体学报， 23 3 VoI .23 No . 3 2002 年月， 3 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Mar . 2002 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 硅集成电路光刻技术的发展与挑战王阳元康晋锋（北京大学微电子所，北京 100871）摘要：从微电子集成电路技术发展的趋势，介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求，综述了当前主流的光学曝光技术和新一代曝光技术中的光学曝光、曝光、电子束曝光、射线曝光、离子束曝光 DUV 157nm 13nm EUV X 和纳米印制光刻技术的发展状况及所面临的技术挑战同时，对光学曝光技术中采用的各种分辨率增强技术如偏 . 轴照明（）、光学邻近效应校正（）、移相掩膜（）、硅片表面的平整化、光刻胶修剪（）、抗反射功 OAI OPC PSM resist trimming 能和表面感光后的多层光刻胶等技术的原理进行了介绍，并对不同技术时代可能采用的曝光技术作了展望性的评述. 关键词：光刻；集成电路；微电子：； !!## 2570 2550G 中图分类号：文献标识码：文章编号：（） TN405 A 0253-4177 2002 03-0225-13 但人们仍普遍认为，至少在今后30 年内，微电子技 $ 微电子技术的发展趋势及其对光刻术仍将按摩尔定律规律继续发展最近，公司和 . InteI 技术的需求 AMD 公司分别报道了在实验室成功制备特征尺寸［，］为20nm 和35nm 的CMOS 器件2 3 . 世界微电子产业的发展日新月异，在 1999 年世表国际半导体技术发展的指导性规划（年版） 1