掺杂改善CuInSe2薄膜光伏特性的研究进展.pdfVIP

第26卷 第2期 山东 建 筑 大 学 学 报 Vo1．26 No．2 2011年 4月 JOURNAL OF SHANDONG JIANZHU Apr． 2011 文章编号：1673—7644【2011)02-0170—04 掺杂改善 CuInSe2薄膜光伏特性的研究进展 刘亚，刘科高 (山东建筑大学 材料科学与工程学院，山东 济南250101) 摘要：CulnSe：薄膜太阳能电池是当前可再生能源领域的研究热点之一。掺杂在一定程度上起到提高薄膜电池 光电性能及降低薄膜电池成本的作用。从元素掺杂角度出发，对元素掺杂的种类、方式，掺杂元素在薄膜电池 光电性能和相互作用机制上的影响进行了重点综述，最后提出了当前CulnSe：薄膜电池存在的主要问题和发展 方向。 关键词：铜铟硒；太阳电池；薄膜；掺杂 中图分类号：TB34 文献标识码 ：A Recentprogressin dopingtoimprovethephotoelectrical propertiesofCuInSe2thinfilm LIUYa，LIU Ke—gao (SchoolofMaterialScienceandEngineering，ShandongJianzhuUniversity，Jinan250101，China) Abstract：CuInSe，thinfilm solarcellisoneoftoday，Shotissuesintheresearchfieldofrenewableen- ergy．Insomedegree，dopingcanimprovephotoelectricpropertiesofthinfilm solra cellandreducethe costofthinfilm solra cel1．From theperspectiveofdoping，kindsandwaysofdopingaswellasits effectandinternalmechanism onthepropertiesofCISfilmsandthinfilm solarcellsarereviewed．In theend，thestudypresentsthemajorproblemsanddevelopmentsintheCulnSe2thinfilmsolarcells． Keywords：CuInSe2；solarcell；thinfilm；doping 分为直接制备法和预置金属层后硒化法两种，其中 0 引言 预置层制备方法多为蒸发、溅射或是沉积法 。研 究发现当CIGS中Ga含量 占Ⅲ族成份的 25％ ～ CulnSe(CIS)是 I．Ⅲ．Ⅵ族化合物半导体直接 30％时，与硫化镉 (CdS)间的晶格失配只有 1．2％， 禁带材料。掺入镓形成cu(In，Ga)se：，带隙较 CIS Na离子的掺入使CIGS组分失配容忍度大大增加， 增宽，与太阳光谱(1．4—1．6eV)更匹配。该薄膜电 效率更高 。 池具有6×10am 数量级的吸收系数、高的转换效 1 掺杂对改善CIS薄膜及薄膜光伏特 率、强抗辐照能力、弱光特性好等优点…。典型结 构为 AI／MgF2／zn0／cds／CIGs／M0／衬底 。2008 性影响的研究进展 年CIGS光电转换效率达到19．9％L3]，是 目前光电 1．1 钠离子掺杂CIS薄膜及薄膜电池的研究进展 转换的世界纪