GaInP_2GaAsGe叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长.docVIP

第 31 卷第 2 期　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　Vo l131 No12 光 子 学 报 2002 年 2 月　　　　　　　　　　A CTA PHO TON ICA S IN ICA 　　　　　　　　　February 2002　 Ga InP2?GaA s?Ge 叠层太阳电池材料 Ξ 的低压M OCVD 外延生长 李　辉　汪　韬　李宝霞　赛晓峰　高鸿楷 (中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室, 西安 710068) 　　摘　要　本文采用自制的L P2M OCVD 设备, 外延生长出 Ga InP2?GaA s?Ge 叠层太阳电池结 构片, 对电池材料进行了 X 射线衍射测试分析 1 另外, 采用二次离子质谱仪测试了电池结构 的剖面曲线 1 用此材料做出的叠层太阳电池,AM O 条件下光电转换效率 Γ= 13. 6% , 开路电 压V oc= 2230mV , 短路电流密度 J sc= 12. 6mA ?cm 21 关键词　L P2M OCVD; Ga InP2?GaA s?Ge; 叠层太阳电池 0　引言 　　为了充分利用太阳光不同波段的光子能量, Ga InP2?GaA s?Ge 双结叠层太阳电池结构片, 并 提高太阳电池的光电转换效率, 国际上正积极展 以此做出了转换效率 Γ= 1. 65%、开路电压V oc= 开多结