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化学干法刻蚀在TFT-LCD 工艺中的应用
汪梅林，汪永安：化学干法刻蚀在TFT-LCD工艺中的应用 总第 期
70
文章编号：1006-6268（2006）11-0061-03
化学干法刻蚀在TFT-LCD
工艺中的应用
, ,
12 12
汪梅林 ,汪永安
(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 ;
1. 130021
吉林北方彩晶数码电子有限公司长春 )
2. , 130031
摘 要:利用化学干法刻蚀各向同性的特点,本文主要研究化学干法刻蚀中不同的O/CF比例
2 4
对 、 和光刻胶刻蚀速率的影响。最后,选用合适的 比例在 阵列基板
MoSiNx O/CF TFT-LCD
2 4
上进行刻孔实验。
关键词:化学干法刻蚀;刻蚀速率;坡度角;薄膜晶体管
中图分类号: 文献标识码:
TN141.9 B
TheApplicationofCDEinTFT-LCDProcess
1.2 1.2
WANGMei-lin,WANGYong-an
(1.ChangchunInstituteofOptics,FineMechanicsandPhysics,ChineseAcademyofScien-
;
ces,JilinChangChun130021,China2.JilinBeifangCaijingDigitalElectronicsCo.,Ltd,
JilinChangChun130031,China)
Abstract:ByusingisotropiccharacteristicsofCDE,thearticlemainlystudiestheinfluence
ofdifferentO/CFratioonetchingrateofMo,SiNxandphotoresist.Finally,experim-
2 4
entationofetchingholewasmakenonTFTsubstratesbyselectingsuitableO/CFratio.
2 4
Keywords:CDE;etchingrate;profile;TFT
1 引言 但由于两个孔刻蚀膜层的膜质和膜厚不一样，所以
刻蚀工艺复杂，且易在钝化层（p-SiNx）和绝缘层
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