三极管---社内常见形式及以往不良情况.pptx

三极管常见形式及以往不良 1、社内常见形式 ②引脚插入式 封装形式是THM(Through Hole Mount） ①表面贴装元件 封装形式是SMD(Surface Mounted Devices） 2、基本构造 引线（金） 引脚成分（锡\银\铜） 母材（铁镍合金） 表面处理：铜） 硅片 本体（环氧树脂） 【三极管常见形式及以往不良】 1/7 ①内部击穿 3、以往不良情况 通过三极管的电压应为0.7V左右，实际已经超出3倍，说明已经击穿。 测试内容 ICT测试 基准 ICT首次测试 FCT:NG ICT再次测试 B-E（V） 0.7±30% 0.74 2.02 B-C（V） 0.7±30% 0.75 2.02 C-E（V） 0.26V以下 0.04 0.49 ICT判定 OK NG a室外板上的出现三极管内部击穿不良。 【三极管常见形式及以往不良】 2/7 E C B 例举：NPN型 发射极 基极 集电极 P N N B C E 第一步检测UBC和UBE 确认PN结正向导通电压 第二步检测UCE 确认饱和状态下的电压值 要接近于0V,远小于0.2V 步骤 项目名称 标准 期望值 上限 下限 模式 类型 高点 低点 位置 隔离点 Step Part Name BOM-V Expect-V HLim% LLim% M Type HiN LoN DIY G1 1 Q-BC 0.7V 0.7V 30 30 0 Q 1 2 0 0 2 Q-BE 0.7V 0.7V 30 30 0 Q 1 3 0 0 3 Q-CEB 1.5V 0.2V 30 -1 4 Q 2 3 0 1 如何判断三极管好坏 硅：0.7V 锗：0.2V ①内部击穿 内部击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象，电阻为0Ω或断开。 【三极管常见形式及以往不良】 3/7 G1 HI-P LO-P C E B 截止区 基极无电流 UCE R = ∞ I = 0 放大区 IB越大，RCE越小，ICE越大 IB越小， RCE越大，ICE越小 VC＞VB＞VE G1 HI-P LO-P C E B 有电流 反向电压 截止区：发射结反偏，集电结反偏 UBE＜0.7V UBE＞0.7V 放大区：发射结正偏，集电结反偏 UC＞UE＞UB UBC＜0.7V 【三极管常见形式及以往不良】 4/7 ICT治具部分 下针点 三极管 ①VBC ②VBE ③VCE G1 HI-P LO-P amp：电流放大器 ADC：模数转换器，作用是将模拟量转换为数字量，用于采集模拟信号，同时转换为单片机识别的数值 DAC：数模转化器，将数字转换为模拟信号 UBC与VBE同时达到0.7V导通后（饱和），可测取VCE电压值 C E B 饱和区 饱和区：发射结正偏，集电结正偏 UBE＞UCE UBE＞0.7V UBC＞0.7V 【三极管常见形式及以往不良】 5/7 ③元件受外力破损 ε室内板上的三极管外部树脂曾出现裂纹，造成元件失效。 三极管的环氧树脂有哪些优缺点？ Q601 元件开裂 环氧树脂 耐化学药剂 耐热 电气绝缘性能良好 收缩率小 耐候性差 抗冲击强度低，质地脆 优点 缺点 【三极管常见形式及以往不良】 6/7 元件外表耐外力的试验 测针 推力计 三极管 试验确认结果：三级管外部的环氧树脂很脆弱，受10N左右的压力时发生碎裂。 试验前 试验品1 试验品2 树脂开裂 树脂开裂 【三极管常见形式及以往不良】 7/7