电磁兼容-电磁屏蔽技术.doc

第三章 电磁屏蔽技术 ? 屏蔽材料的选择 ? 实际屏蔽体的设计电磁屏蔽 屏蔽前的场强E1 屏蔽后的场强E 2 对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽, 电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB实心材料屏蔽效能的计算 入射波 SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋B ＝ R＋ A＋B B 场强 吸收损耗A R1 R2 距离波阻抗的概念 Ω 波 阻 电场为主 E ∝ 1/ r3 H ∝ 1 / r2 抗 E/H 平面波 E ∝ 1/ r H ∝ 1/ r 377 磁场为主 H ∝ 1/ r3 E ∝ 1/ r2 λ/ 2π 到观测点距离 r吸收损耗的计算 δ 0.37E0 入射电磁波E0 t 剩余电磁波E1 E1 = E0e-t/δ A ＝ 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / δ ) dB A ＝ 8.69 ( t / δ ) dB A = 3.34 t √ f μrσr dB反射损耗 ZW R ＝ 20 lg 4 Zs 远场：377Ω 近场：取决于源的阻抗 ZS = 3.68 ×10-7√ f μr/σr 同一种材料的阻 抗随频率变 反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗越 大。不同电磁波的反射损耗 远场: R ＝ 20 lg 377 4 Zs 电场: R ＝ 20 lg 4500 D f Zs dB 磁场: R ＝ 20 lg 2 D f Zs Zs = 屏蔽体阻抗， D = 屏蔽体到源的距离（m） f = 电磁波的频率（MHz）影响反射损耗的因素 R(dB) 靠近辐射源 150 平面波 r = 30 m 靠近辐射源 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 100M f 3× 108 / 2πr综合屏蔽效能 (0.5mm铝板) 屏蔽效能 （dB） 250 平面波 150 高频时 电磁波种类 的影响很小 0 频率 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M多次反射修正因子的计算 电磁波在屏蔽体内多次反射，会引起附加的电 磁泄漏，因此要对前面的计算进行修正。 B = 20 lg ( 1 - e -2 t / δ ) 说明： ? B为负值，其作用是减小屏蔽效能 ? 当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时，可以忽略 ? 对于电场波，可以忽略怎样屏蔽低频磁场？ 低频 吸收损耗小 低频磁场 反射损耗小 磁场 高导电材料 高导电材料 高导磁材料高导磁率材料的磁旁路效果 H0 H 1 R0 Rs Rs SE = 1 + R0/RS H0 R0 H1 磁屏蔽材料的频率特性 μr 103 坡莫合金 15 μ金属 10 镍钢 5 冷轧钢 1 0.01 0.1 1.0 10 100 kHz磁导率随场强的变化 磁通密度 B μ = ΔB /Δ H 饱和 最大磁导率 起始磁导率 磁场强度 H强磁场的屏蔽 高导磁率材料：饱和 低导磁率材料：屏效不够 低导磁率材料 高导磁率材料加工的影响 100 跌落前 80 60 跌落后 40 20 10 100 1k 10k良好电磁屏蔽的关键因素 没有穿过屏 屏蔽体 导电连续 蔽体的导体 不要忘记： 你知道吗： 选择适当的屏蔽材料 与屏蔽体接地与否无关 屏蔽效能高的屏蔽体实际屏蔽体的问题 实际机箱上有许多泄漏源：不同部分结合处的缝隙通风 口、显示窗、按键、指示灯、电缆线、电源线等 电源线 缝隙 通风口 显示窗 键盘 调节旋钮 指示灯 电缆插座远场区孔洞的屏蔽效能 ≡ H L L SE = 100 – 20lgL – 20lg f + 20lg（1 + 2.3lg(L/H)) = 0 dB 若 L ≥ λ / 2孔洞在近场区的屏蔽效能 C （7.9/Df）：（说明是电场源） 若Z SE = 48 + 20lg ZC – 20lg L f + 20lg ( 1 + 2.3lg (L/H) ) C （7.9/Df）：（说明是磁场源） 若Z SE = 20lg ( πD/L) + 20lg (1 + 2.3lg (L/H) ) （注意：对于磁场源，屏效与频率无关！）缝隙的泄漏 低频起主要作用 高频起主要作用缝隙的处理 电磁密封衬垫 缝隙电磁密封衬垫的种类 ? 金属丝网衬垫(带橡胶芯的和空心的) ?导电橡胶(不同导电填充物的) ?指形簧片(不同表面涂覆层的) ?螺旋管衬垫(不锈钢的和镀锡铍铜的) ?导电布电磁密封衬垫的主要参数 ? 屏蔽效能 (关系到总体屏蔽效能) ? 回弹力（关系到盖板的刚度和螺钉间距） ? 最小密封压力（关系到最小压缩量） ?最大形变量（关系到最大压缩量） ? 压缩永久形变（关系到允许盖板开关次数