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10A600V大功率硅基JBS肖特基二极管的制备-电子器件
第３７卷 第６期 电 子 器 件 Ｖｏｌ３７ Ｎｏ６
２０１４年１２ 月 ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｄｅｃ. ２０１４
Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｈｉｇｈ￣Ｐｏｗｅｒ １０ Ａ/ ６００ Ｖ Ｓｉ￣Ｂａｓｅｄ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ
Ｂａｒｒｉｅｒ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ(ＪＢＳ)Ｄｉｏｄｅ∗
ＣＨＥＮ ＰｕｘｉａｎｇꎬＧＡＯＨｕａꎬＬＩ ＨａｉｒｏｎｇꎬＬＩＵＳｕ∗
(Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆ ＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓꎬＬａｎｚｈｏｕ ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＬａｎｚｈｏｕ７３００００ꎬＣｈｉｎａ)
Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｔｏ ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅ ｔｈｅ ｈｉｇｈ ｌｅａｋａｇｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ａｎｄ ｌｏｗ ｒｅｖｅｒｓｅ ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ ｏｆ ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｄｉ￣
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ｏｄｅꎬａＪＢＳｄｉｏｄｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｗａｓｆｏｒｍｅｄｂｙｃｏｍｂｉｎｉｎｇｓｔｒｉｐＰ ＮｊｕｎｃｔｉｏｎｇｒｉｄｓａｎｄＳｃｈｏｔｔｋｙｊｕｎｃｔｉｏｎꎬｗｈｉｃｈｔｅｒｍｉｎａ￣
ｔｅｄ ｂｙ ｓｅｖｅｎ ｆｌｏａｔｉｎｇ ｆｉｅｌｄ ｌｉｍｉｔｉｎｇ ｒｉｎｇｓ(ＦＧＲｓ)ａｎｄ ｏｎｅ ｃｕｔｏｆｆ ｒｉｎｇ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ. Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｗａｓ ｕｔｉｌｉｚｅｄ ｔｏ ｄｅｔｅｒｍｉｎｅ
ｔｈｅ ｏｐｔｉｍｉｚｅｄｐａｒａｍｅｔｅｒｓｉｎｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎꎬＳＢＤａｎｄＰｉＮｄｉｏｄｅｗｅｒｅｆａｂｒｉｃａｔｅｄａｓｃｏｎｔｒａｓｔ.ＴｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｅｄｔｈａｔＪＢＳ
ｄｉｏｄｅｓｂｅｈａｖｅｓｉｍｉｌａｒｔｏＳＢＤｄｉｏｄｅｓｉｎｔｈｅｏｎ￣ｓｔａｔｅｗｈｉｌｅｒｅｖｅｒｓｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｓｉｍｉｌａｒｔｏＰｉＮｄｉｏｄｅｓ.Ｔｈｅｏｂｔａｉｎｅｄ
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ＪＢＳｄｉｏｄｅｓｗｅｒｅｃａｐａｂｌｅｏｆｂｌｏｃｋｉｎｇｕｐｔｏ６００Ｖｗｈｅｎｔｈｅｌｅａｋａｇｅｃｕｒｒｅｎｔｄｅｎｓｉｔｙｗａｓｌｅｓｓｔｈａｎ １ １０ Ａ/ ｃｍ ꎬａｎｄ
２
ｔｈｅ ｆｏｒｗａｒｄ ｖｏｌｔａｇｅ ｄｒｏｐ ａｔ ａ ｃｕｒｒｅｎｔ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ８０.６ Ａ/ ｃｍ ｉｓ １.１Ｖ
Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ:ＳＢＤ ｄｉｏｄｅｓꎻＪＢＳ ｄｉｏｄｅｓꎻｇｒｉｄｓｔｒｕｃｔｕｒｅꎻｆｉｅｌｄ ｇｕａｒｄｉｎｇ ｒｉｎｇｓꎻｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ ６００ Ｖ
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ＥＥＡＣＣ:２５６０Ｈ ｄｏｉ:１０.３９６９/ｊ.ｉｓｓｎ.１００５ ９４９０.２０１４.０６.００３
１０ Ａ/ ６００ Ｖ大功率硅基ＪＢＳ 肖特基二极管的制备∗
陈菩祥ꎬ高 桦ꎬ李海蓉ꎬ刘 肃∗
(兰州大学微电子所ꎬ兰州 ７３００００)
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摘 要:
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