原创力文档- 1、本文档共4页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
40nm工艺下反向窄沟道效应对VLSI电路设计的影响
31卷 第 4期 微 电子 学 与 计 算 机 Vo1．31 No．4
2014年 4月 MICROELECTRONICS＆COMPUTER April2014
40am工艺下反向窄沟道效应对 VLSI电路设计的影响
郑凯磊，贺光辉
(Jk海交通大学 微电子学院，上海 200240)
摘 要：反 向窄沟道效应 (INwE)是纳米级工艺下较为明显的版图效应，它使 MOS管阈值电压 随着 OD(扩散
区)宽度的下降而下降，由此使得饱和电流 jd。提高并最终影响器件的速度．重点阐述 了产生 INWE的原因，同时
将 INWE考虑在标准单元库的设计当中．以TSMCN40IP12T标准单元库为基础，根据 INWE现象重新对电路结
构(CircuitStructure)和版图(I．ayout)进行设计，最终能够在原有版图面积下整体性能提升5 以上，整体功耗升高
控制在2 以内，从而得到有着更好PPA(PowerPerformanceArea)指标的标准单元库器件．
关键词：反向窄沟道效应；器件物理特性；标准单元库设计；版图设计
中图分类号：TN47 文献标识码：A 文章编号：10O0—7180(2014)04--0100--03
Application ofInverseNarrow W idthEffectinVLSIat4Oam Process
ZHENG Kai—lei，HEGuang—hui
(SchoolofMicroelectronics，ShanghaiJiaotongUniversity，Shanghai200240，China)
Abstract：INW E (Inversenarrowwidtheffect)iSadistinctivelayouteffectinnanometerscale，whichwil1decrease
thethresholdvoltagewiththedecreasingofthe0D (Definitionofdiffusionarea)width，finally，itwil1affectthe
speedwiththeincreasingofIdsat(saturatecurrent)．ThekeypointofthispaperistheapplicationofINW EinVLSI
design．NotonlytellthereasonofINWrE inthispaper．butalsoitredesignsthestandardeell1ibrarytakingthe
INWE intoaccount．AllthedesignofthispaperisbasedontheTSMCN40LP12T standardcelllibrary，thepaper
changesthestructureofsomecircuitsandre-planthelayoutdesign．Anditgainsperformanceincreasemorethan
5 atthecostof1owerthan2 powerconsumption，whichalloccursinthesameareaofthelayoutoccupation．
ThebetterPPA (PowerPerformanceArea)iSallbasedontheINWE inthestandard1ibrarydesign．
Keywords：inversenarrowwidtheffect；physicalcharacteristicofdevice；designofstandardcell；layoutdesign
1 ~l--g (trench。xide)下凹 ，从而会产生边缘电场所致 ·
2 反向窄沟道效应原理
半导体工艺进入纳米级后，电路的版
文档评论（0）