功率MOSEFT—2N602A，600VN沟道深圳市天泰伟业半导体有限公司.PDF

深圳市天泰伟业半导体有限公司 - 2N60 产品资料 7 1 功率MOSEFT—2N60 2A，600V N沟道 2N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快 的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源， DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。 1、特征 · 2A，600V， RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V； · 极低栅电荷，典型9nC； ·极低反向转换电容；典型5pF · 快速开关能力； · 增强的dV/di能力； · 100%雪崩击穿测试； · 封装型式：TO-220，TO-220F，TO-251，TO-252 · 最大结温 150 ℃ 2、性能指标 极限值：（除其他标注外Tamb= 25℃） 参 数 符 号 数 值 单 位 最大漏源电压 VDSS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V 雪崩电流 IAR 2 A 最大持续漏电流 ID 2 A 最大脉冲漏电流 (注1) IDM 8 A 雪崩能量（单脉冲） (注2) EAR 140 mJ 峰值二极管恢复dv/dt (注3) dv/dt 4.5 V/ns 最大耗散功率 PD 45 W 工作结温/储存温度范围 T /T -55～150 ℃ J STG 深圳市天泰伟业半导体有限公司 - 2N60 产品资料 7 2 热性能（除其他标注外Tamb = 25°C） 参数 符号 封装 数值 单位 从结到每只管脚的典型