台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响.PDF

櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 ： ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２００９０６００７ 台面刻蚀深度对埋栅 栅阴击穿的影响 ＳＩＴＨ １ １ ２ １ 岳红菊，刘肃，王永顺，李海蓉 （ 兰州大学物理科学与技术学院微电子与固体电子学研究所，兰州 ； １ ７３００００ 兰州交通大学电子与信息工程学院，兰州 ） ２ ７３００７０ ： （ ） 摘要针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管 栅阴击穿特性的影响做了实验研 ＳＩＴＨ 究。实验结果表明，随着台面刻蚀深度的增大，器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿，同时 击穿电压升高 设计了独立的台面槽并研究了台面刻蚀深度与栅阴击穿电压和栅阴击穿 ，ＳＩＴＨ ， 特性间的关系，指出台面刻蚀深度的增加可以有效减弱表面电荷和表面缺陷对器件的影响，改善 栅阴击穿曲线提高栅阴击穿电压同时还简要描述了这种器件的制造工艺 ， 。 ， 。 关键词静电感应晶闸管埋栅结构台面刻蚀栅阴击穿表面缺陷 ： ； ； ； ； ： ： ： （ ） 中图分类号 文献标识码 文章编号 ＴＮ３８６７ Ａ １００３３５３Ｘ ２００９ ０６０５４６０３ Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ Ｍｅｓａ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｄｅｐｔｈ ｏｎ ＧａｔｅＣａｔｈｏｄｅ Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ＳＩＴＨ ｗｉｔｈ Ｂｕｒｉｅｄ Ｇａｔｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ １ １ ２ １ ， ， ， Ｙｕｅ Ｈｏｎｇｊｕ Ｌｉｕ Ｓｕ Ｗａｎｇ Ｙｏｎｇｓｈｕｎ Ｌｉ Ｈａｉｒｏｎｇ （ ， ， ， ， ； １Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌａｎｚｈｏｕ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｌａｎｚｈｏｕ ７３００００ Ｃｈｉｎａ ， ， ， ） ２Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ａｎｄ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｌａｎｚｈｏｕ Ｊｉａｏｔｏｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｌａｎｚｈｏｕ ７３００７０ Ｃｈｉｎａ ： Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｔｈｅ ｉｍｐａｃｔ ｏｆ ｍｅｓａ ｅｔｃｈｉｎｇ ｄｅｐｔｈ ｏｎ ｇａｔｅ ｃａｔｈｏｄｅ ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｏｆ ｂｕｒｉｅｄｇａｔｅ ＳＩＴＨｗａｓ ｓｔｕｄ