双极功率集成器件的优化.PDF

第35卷第9期 北京工业大学学报 V01．35NO．9 2009年9月 JOURNALOFBEIJINGUNIVERSITYOFTECHNOI，OGY Sep．2009 双极功率集成器件的优化 吴 郁，王 浩，程 序，亢宝位 (北京工业大学电子信息与控制工程学院。北京 100124) 摘要：以400V双极功率集成器件(由BJT与p-i—n二极管以反并联方式集成在同一个芯片上构成)为例，通过 仿真和实测分析，建立起基本概念和物理图像，阐明了集成功率器件中横向寄生晶体管所带来的影响．以及主晶 体管与内二极管的不同间距又如何影响寄生晶体管所起作用等问题．最后给出了主晶体管与内二极管间距的 优化设计值．这些为理解问题进而设计出主晶体管与内二极管之间新的隔离措施奠定了理论基础． 关键词：双极功率集成器件；主晶体管；内二极管；漏电流；反向恢复时间 中图分类号：TN323+．4 文献标志码：A 文章编号：0254—0037(2009)09—1168—07 功率BJT在中低频和中小功率的功率电子电路中仍然有着相当多的应用．在桥式逆变器和斩波器等 电路中，功率BJT和续流二极管总是以反并联方式成对使用，如果将它们集成在一个芯片上构成双极功 率集成器件，就可以减小电路体积，降低系统成本．在电路应用中，内集成二极管的电流容量和开关速度 必须与主晶体管相当，因此需要具有几百到几十纳秒的快恢复级开关时间…1．然而，在耐压为几百伏的器 件中，内集成反并联二极管的结构通常仍然是不利于快恢复的简单p-i—n结构，这就需要对这类二极管进 行改进．但是，改善内二极管恢复速度与改善二极管单管的情况还不尽相同，在改进的同时还必须做到： 1)要尽量避免针对二极管的工艺处理影响到主晶体管的性能；2)要尽可能减弱主晶体管与内二极管之间 通过横向寄生p．i—n晶体管产生的相互作用，因为这种相互作用会对集成器件的漏电流、不同基极偏置下 二极管正向压降和反向恢复特性等造成影响．在二极管区掺铂进行横向局域寿命控制[2]，可在很大程度 上同时解决这两方面的问题．为了降低成本和工艺复杂性，也有人尝试将不额外增加工序、不进行寿命控 制的MPS结构用于内集成二极管并取得成效旧J．然而，这类方法(除MPS结构外，还可以采用SSD¨J、 题．若设计不合理，就有可能使内二极管性能改善不能达到最佳．这是因为，若不进行寿命控制，器件n一 区中过剩载流子的大注入寿命通常在几十微秒的量级【7J，其扩散长度可达上百甚至几百微米．显然，将二 极管与主管之间距离增大至几百微米以实现隔离是不现实的．在常规器件和文献[3]的设计中，这个间距 仅为几十微米． 在这种情况下，对寄生晶体管所带来的后果，主晶体管与内二极管的不同间距又怎样影响着这些后果 V常规双极功率集 以及这个间距是否存在优化设计等问题，就需要一个明确的答案．本文基于一种400 成器件结构(BJT与p-i．n二极管反并联)，将对上述问题进行仿真分析，建立起基本概念和物理图像，并提 出优化设计的思路．最后，给出的试验结果及分析在很大程度上支持了本仿真结果． 1 器件结构 双极功率集成器件的结构包括集总式和分布式2种．集总式方案通常将内二极管集中设旨在芯片一 侧或一角的发射区焊盘处，发射区焊盘处的金属通过接触孔与二极管的P区相连就使得二极管的阳极与 收稿日期：2008—03—14． 基金项目：北京市教育委员会科技发展计划面上项目(KM200510005022) 作者简介：吴 郁(1970一)，山东枣庄人，副研究员． 第9期 吴郁，等：双极功率集成器件的优化 1169 晶体管发射极相连，共用的n型衬底则使二极管的阴 极与晶体管的集电极相连，从而形成晶体管与二极 管反并联的格局．分布式方案(参见Motorola Notes ApplicationANl577，1997)通常是将条形的P 区分散到整个芯片中，夹在包含有条形发射区的2个 —叫㈣一l∑孓 P基区之间，条形的二极管P区在表面通过接触孔与