基于负微分电阻特性的SETCMOS反相器.PDF

( ) 华南理工大学学报 自然科学版 40 3 Journal of South China University of Technology Vol． 40 No ． 3 第 卷第 期 2012 3 (Natural Science Edition) M arch 2012 年 月 文章编号:1000-565X (2012)03-0069-05 * 基于负微分电阻特性的SET / CMOS 反相器 魏榕山 陈寿昌 陈锦锋 何明华 ( ， 350108) 福州大学物理与信息工程学院 福建福州 : (SET) PMOS (NDR) ， 摘 要 基于单电子晶体管 和 管串联产生的负微分电阻 特性 提出 SET / CMOS ． NDR NMOS － 了一种新型的 反相器 该反相器利用 特性与 负载管的电流 电 ， ． HSPICE ， 压特性构成两个单稳态点 实现反相功能 应用 仿真器 采用精准的单电子晶体 22 nm CMOS ， : 管的子电路模型及 预测技术模型对该反相器进行仿真 结果表明 该反相器 ， CMOS ; ， 的功能正确 具有比传统 反相器更低的功耗 与其它单电子反相器相比 该反相器 ， ． 可在室温下实现输出电压全摆幅 且具有较低的传输延迟 : ; ;HSPICE ; 关键词 单电子晶体管 反相器 仿真 负微分电阻 中图分类号:TN402 doi :10 ． 3969 /j ． issn． 1000-565X． 20 12 ． 03． 0 11 MOS ， MOS SET ， 当 管的特征尺寸随着摩尔定律的发展进 压摆幅等特点 将 管与 相结合 使电路同 入100 nm ， ［7-8］． ，SET / CMOS 以后 其可靠性及电学特性因受到量子效 时具备两者的优点 目前 混合电路 ［1-2］ 应的影响而面临着诸多的挑战 ． 单电子晶体管 ( 、 、 在数字电路 如多值存储器 可重构的布尔逻辑门 (SET)