实验28运算放大器之持性285.doc

-------------------------------------------- 實驗 28 線運算放大器之特性 -------------------------------------------- 實驗目的 1.測量輸入偏壓電流(Input Bias Current)。 2.測量輸出偏移電壓(Output Bias Voltage)，並調整使其為零。 3.計算741之延遲率(Slew Rate)。 4.觀察功率頻帶寬(Power Band Width)之效應。 實驗器材 □兩部15V之電源供應器。 □信號產生器、示波器。 □電阻:100Ω2；1KΩ10KΩ；100KΩ;200KΩ2;l MΩ× 3 。 □電位器:5KΩ 。 □OPAmp:741C3 。 □電容:1 μF 2，10 μF 2 。 基本原理 圖28-1為一簡化之741運算放大器之內部線路圖。 輸入級 Q1及Q2組成一差動放大器，其偏壓是由定電流源Q14所提供(如實驗25中之討論)，此放大器推動由Q3，Q4所組成之主動負載。由圖 圖28-1 741及典型運算放大器之簡化電路圖 中及以上之分析可知，當信號Vin輸入時，將產生一放大之電流注入Q5之基極。 第二級與第三級 第二級為一射極隨耦器，由Q5組成。其功用是將第三級Q6之輸入阻抗提升β倍。 Q6電晶體為輸出級之驅動器(Driver)。 輸出級 最後一級是由Q9及Q10，o所組成的B類推挽式射極隨耦器。由於信號是對稱供應給Q9及Q10，因此在理論上當沒有信號輸入時，輸出為0 V。Q11是輸出偏壓電路的一部份，其提供很小的閒置狀態電流(Idling Current)並可消除交越失真(Crossover Distortion)。 Q7及Q8是補償二極體，其電流一電壓之特性曲線與Q9及Q10電晶體之基一射極特性曲線相同，主要是補償溫度的變化，以避免因溫度改變而造成閒置狀態電流過度的增加。 補償電容 CC稱為補償電容，其典型值為30pF，其對頻率響應有顯著之影響，而且亦可避免發生振盪現象。 主動負載 至目前為止，吾人所討論的CE級均使用一被動負載(如電阻器、變壓器…等等)。而在圖28-l，我們看到以CE級(Q6)來推動主動負載(Q11)之實例。Q1l為一定電流源(Constant Current Source)，理論上其輸入阻抗為無窮大，因此任何Q6之輸出電流均強迫流入最後的輸出級電晶體Q9或Q10。 由於在晶片上製造電晶體要比電阻要來的便宜及容易，因此主動負載在積體電路(Integrated Circuit；IC)中使用極為普遍。金屬氧化物半導體(Metal-Oxide Semi-Conductor；MOS)數位積體電路中，幾乎均使用主動負載;在這些IC中，一個MOSFET為另一個MOSFET之負載。 輸入偏壓電流(Input ias Current) 圖28-l是運算放大器內部之等效電路。為使其能正常運作，除了供應VCC及VEE電源之外，尚須在輸入基極端接上一些外部的直流迴路。換言之，由於電源供應必有一端接地，所以Q1及Q2之基極電流亦須流至接地點，以構成一完整的迴路。 在輸入端接上兩個等值電阻時，可以得到兩個幾乎完全相等的基極電流。而當這兩個僅有些微差距的基極電流流經輸入端之外接電阻時，將產生一微小的差動輸入電壓，經放大之後，此一無效的輸入信號將在輸出端產生一輸出偏移電壓(Output Offset Vatage)。在一般資料手冊中所列的輸入偏壓電流是兩輸入基極電流之平均值。因此，由輸入偏壓電流的大小，也可知道輸入電流之大約值。而輸入偏壓電流愈小，產生輸出端電壓偏的可能性就愈小。74的最大輸入偏壓電流為500nA，這在許多的應用中均足以適用。 輸入偏移電流(Input Offset Current) 若以一共同之信號源來推動輸入端時，兩輸入電流之差即是所謂的輸入偏移電流，其代表兩輸入電流差異之大小。 741之最大輸入偏移電流為20nA，這即表示兩個基極電流之差異最大為20nA。一般而言，愈好的運算放大器其輸入偏移電流愈小。 輸入偏移電壓(Input Offset Voltage) 一個理想運算放大器當其反向(Inverting)及非反向(Non-inverting)輸入端之電壓差為零時，輸出應為零伏。但實際情況並非如此，其輸出端可能呈現一不為零之電壓，此輸出偏移電壓是由於內部電路的不匹配、誤差、等原因所造成。換言之，若吾人嚐試將反向及非反向輸入端短路，以消除輸入偏壓電流之效應時，在輸出端仍可能有一不為零之偏移電壓。 為使輸出偏移電壓為零伏而在輸入端所必須加入之電壓稱為輸入偏移電壓。以741為例，其輸入偏移電壓為5mV此表示在沒有外