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电子学大意-公职王
公職王歷屆試題 (100鐵路特考)
100 年特種考試交通事業鐵路人員考試試題
等 別:佐級鐵路人員考試
類 科:電子工程
科 目:電子學大意
有關DRAM(動態隨機存取記憶體)與SRAM(靜態隨機存取記憶體)的敘述,下列何者正
確?
SRAM需要重新充電(refresh) 單一晶胞的電路DRAM比SRAM複雜
DRAM結構需用到電容效應 DRAM屬非揮發性記憶體
關於邏輯電路之敘述,下列何者正確?
靜態邏輯(Static Logic)電路切換過程無動態功率(Dynamic Power)消耗
動態邏輯(Dynamic Logic)電路在穩態時有導通路徑將輸出值連結至最高或最低電壓
組合式邏輯(Combinational Logic)電路之輸出值僅與輸入布林變數之目前狀態有關
或閘(OR Gate)為序列式邏輯電路
關於理想運算放大器之敘述,下列何者正確?
輸入阻抗為0
輸出阻抗無限大
差動增益(Differential-mode Gain)為0
共模增益(Common-mode Gain)為0
圖示電路為何種濾波器?
高通 帶通 低通 帶拒
圖中電路之功能為:
帶拒濾波器 高通濾波器 低通濾波器 帶通濾波器
對於理想電流放大器(Current Amplifier)特性之敘述,下列何者正確?
輸入阻抗為0 輸出阻抗為0
輸入阻抗無限大 輸出阻抗與電壓放大器特性相同
在雙極性接面電晶體共射極組態中,理想小訊號電源是經由一個耦合電容Cc進入基極,電
容Cc之目的為:
隔離放大器與電源間的直流 增加輸出阻抗
隔離交流訊號 隔離雜訊
雙極性接面電晶體(BJT)若工作於作用區(Active-Region),其偏壓需滿足下列何種條
件?
基-射極接面為順向偏壓,基-集極接面為順向偏壓
基-射極接面為順向偏壓,基-集極接面為反向偏壓
基-射極接面為反向偏壓,基-集極接面為順向偏壓
基-射極接面為反向偏壓,基-集極接面為反向偏壓
下列何者為齊納(Zener)二極體作為穩壓用時的工作區域?
共 8 頁 第 1 頁 全國最大公教職網站 .tw
公職王歷屆試題 (100鐵路特考)
Ⅰ Ⅱ Ⅰ及Ⅱ Ⅲ3
利用浮動閘極電晶體(Floating-Gate Transistor)的記憶細胞(Memory Cell)為:
SRAM(靜態隨機存取記憶體)
EPROM(可擦式及可程式唯讀記憶體)
DRAM(動態隨機存取記憶體)
ROM(唯讀記憶體)
圖為射極耦合邏輯(Emitter-Coupled Logic,ECL)電路。其中V 為輸入,V 、V為輸
Ⅰ O1 O2
出,V 為電壓源,V 為參考電壓,Ⅰ為偏置電流源(Bias Current Source)。當
CC R
I /I 99時,V 為邏輯“0"。則其輸入電壓V 為:(方程式中,V =0.025V)
C1 C2 O1
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