第3章二极管及基本电路.ppt

3 半导体二极管及其基本电路 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的单向导电性 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 1、二极管电路的分析概述 分析思路 分析任务：求vD、iD 目的1: 确定电路功能，即信号vI传递到vO ，有何变化？ 目的2: 判断二极管D是否安全。 首先，判断D的状态？ 若D反向截止，则相当于开路（ iD ?0，ROFF ? ∞ ）； 若D正向导通，则？ 正向导通分析方法： 图解法 等效电路（模型）法 —— 将非线性 ? 线性 先静态（直流），后动态（交流） 静态： vI =0（正弦波过0点） 动态： vI ?0 2、二极管状态判断 3、图解分析法 4、等效电路（模型）分析法 5、应用电路分析举例 分析方法小结 3.5 特殊二极管 例：（东南大学1998年研究生入学试题）如右 图所示为一稳压电路，已知稳压管的?zmax=20mA, ?zmin= 5mA,Rz =10?, Vz =6V, 负载电阻的最大 值RLmAX=10K?。 （1）确定R; （2）确定最小允许的RL值; （3）若RL=1k?,当V?增加1V 时，求?V0值。 解: 运用稳压管反向击穿特性，若负载电阻增大，则V0增大，通过调整 ?z大小使V0稳定在一定的范围内。等效电路如图所示。 (1)当RL=RLmax时，?z=?zmax 根据电路基本定理，有 P97习题：两次作业 3.4.2 3.4.3 3.4.5 3.4.7 3.5.1 3.5.2 4、等效电路（模型）分析法 (4) 小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效为: 微变电阻 根据 得Q点处的微变电导 常温下（T=300K） 例5:（例3.4.1）求VD、ID。 （R=10k?） （a）VDD=10V 时 （b）VDD=1V 时 VDD 理想模型 恒压模型 折线模型 理想模型 恒压模型 折线模型 例1: 2CP1（硅），IF=16mA，VBR=40V。求VD、ID。 (a) (b) (c) (d) 正偏 正偏 反偏 反偏 iD IF ？ D反向截止 ID = 0 VD = -10V D反向击穿 iD = ？ vD = ？ 普通：热击穿－损坏 齐纳：电击穿 VD = - VBR= -40V D正向导通？ D正向导通！ 例3.4.2（习题3.4.12） 习题3.4.5 整流 限幅 例6.2习题 例6.3 5、应用电路分析举例 例6: 画出vO波形。 初步分析——依据二极管的单向导电性 D导通：vO = vI - vD D截止：vO = 0 D导通：vO = vD D截止：vO = vI 左图 中图 例6.1习题 VI = 10V， vi = 1Vsin?t 例4:已知伏安特性,求vD、iD。 5、应用电路分析举例 iD=ID+DiD = 0.95mA+0.1mAsin?t vD=VD+DvD ?0.7V 静态分析 vi=0 叠加原理 动态分析 VI=0 小信号模型(小信号等效电路) 5、应用电路分析举例 例7:(小信号分析) 例4中求?vD、?iD。 VI = 10V， vi = 1Vsin?t 解题步骤: (1) 静态分析 (令vi=0） 由恒压降模型得 VD?0.7V; ID ?0.93mA (2) 动态分析 (令VI=0） 由小信号模型得 3.4 二极管基本电路及其分析方法 假设D截止（开路） 求D两端开路电压 VD ? 0.7V D正向导通 - VBR VD ? 0.7V D反向截止 ID = 0 (开路) VD ? - VBR D反向击穿 VD = - VBR (恒压) VD = 0.7V (恒压降) 状态 等效电路 条件 将不同状态的等效电路（模型）带入原电路中，分析vI和vO 的关系 画出电压波形和电压传输特性 特殊情况：求?vD（波动） 小信号模型和叠加原理 恒压降模型 3.5.1 稳压二极管（齐纳） 3.5.2 变容二极管 3.5.3 光电子器件 1. 光电二极管 2. 发光二极管 3. 激光二极管 反向击穿状态 反向截止，利用势垒电容 反向截止，少子漂移电流 特殊材料，正向导通发光 必须掌握“齐纳二极管”，其它了解。 请自学！ 3.5.1 稳压二极管 1. 符号及稳压特性 (a)符号 (b) 伏安特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向