第2讲半导体基础知识.ppt.ppt

讨论一 1. 分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态； 2. 已知T导通时的UBE＝0.7V，若uI=5V，则β在什么范围内T处于放大状态?在什么范围内T处于饱和状态？ 通过uBE是否大于Uon判断管子是否导通。 临界饱和时的 清华大学 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 讨论二 由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、β。 2.7 ΔiC uCE=1V时的iC就是ICM U（BR）CEO * 本讲主要介绍有关半导体的基本知识，为讲清半导体器件的工作原理作准备。 讲课思路：需讲清楚为什么由导电性能居中的半导体→导电性能极差的本征半导体→导电性能可控的杂质半导体→具有单向导电性的PN结。 并说明温度对载流子数目及浓度的影响，为阐明半导体器件的温度稳定性差打下伏笔；说明PN结的电容效应，为阐明半导体器件的最高工作频率和模拟电子电路的频率响应打下伏笔。 使学生掌握的基本术语：本征半导体、自由电子和空穴、复合、N型半导体和P型半导体、扩散运动和漂移运动、动态平衡、PN结的单向导电性、结电容 * 本节课的教学目的: 1、掌握二极管的电流方程、伏安特性，理解温度对它们的影响。 2、二极管有哪些主要参数？它们的物理意义是什么？ 3、二极管有哪些折线化的伏安特性？它们适用于什么场合？ 4、为什么引入微变等效电路？为什么对动态信号二极管等效为电阻？ 5、学会分析二极管应用电路的方法 6、了解稳压管 * 学会判断二极管的工作状态。 * 理解二极管静态电流对动态电阻的影响，学会静态分析与动态分析的方法。 * 说明： 将内部载流子的运动是以更好地理解外特性为目的。 本节课的教学目的： 1、晶体管能够放大的内部原因和外部条件是什么？为什么在上述情况下会放大？ 2、什么是晶体管的共射输入、输出特性？温度对它们有什么影响？ 3、理解晶体管三个工作区的特点，学会判断电路中晶体管工作状态的方法。 4、掌握晶体管主要参数的物理意义。 * 先突出主要矛盾，讲发射电子的运动及形成的电流；再讲少子的运动及对各极电流的影响。 * 根据什么判断晶体管的工作状态？ * 学会晶体管工作状态的判断方法。 * 学会从特性曲线读出参数。 第二讲 半导体基础知识 模拟电路 半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应 模拟电路 一、本征半导体 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 无杂质 稳定的结构 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 1、什么是半导体？什么是本征半导体？ 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 1、本征半导体的结构 由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴 自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。 共价键 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。 载流子 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。 温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。 热力学温度0K时不导电。 为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？ 2、本征半导体中的两种载流子 运载电荷的粒子称为载流子。 二、杂质半导体 1. N型半导体 磷（P） 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 多数载流子 空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？ 2. P型半导体 硼（B） 多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强， 在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？ 三、PN结的形成及其单向导电性 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。 扩散运动 P区空穴浓度远高于N区。 N区自由电子浓度远高于P区。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场，不利于扩散运动的继续进行。 PN结的形成 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。 参与扩散运动和