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第9章 磁敏式传感器 主要内容： 1．磁敏式传感器的工作原理 2．磁敏式传感器的结构及特性 3．磁敏式传感器的应用 磁敏式传感器是基于磁电转换原理的传感器。早在1856年和1879年就发现了磁阻效应和霍尔效应，但作为实用的磁敏式传感器则产生于半导体材料发现之后。磁敏式传感器按结构不同可分为体型和结型两大类，体型包括霍尔传感器和磁敏电阻，结型包括磁敏二极管和磁敏三极管等。 磁敏式传感器具有体积小、灵敏度高、非接触测量等特点，广泛应用于磁场测量（高斯计）、电流检测、直流无刷电机、转速/转数测量、伪钞识别、流量检测等领域。 9．1霍尔传感器 9．2磁敏电阻 9．3磁敏二极管和磁敏三极管 霍尔传感器 霍尔传感器是基于霍尔效应原理将被测量，如电流、磁场、位移、压力、压差、转速等转换成电信号输出的一种传感器。它具有结构简单，体积小，灵敏度高，频率响应宽（从直流到微波），动态范围大，无触点，使用寿命长，可靠性高，易于微型化和集成电路化等优点，其缺点是转换率较低，受温度影响大，要求转换精度较高时必须进行温度补偿。 霍尔效应与霍尔元件 1．霍尔效应 将一薄片半导体材料垂直放置于磁感应强度为B的磁场中，如图9.1.1所示，沿着垂直于磁场的方向通以电流I，就会在薄片的另一对侧面间产生电动势UH，这一现象称为霍尔效应（美国物理学家霍尔于1879年发现），所产生的电动势称为霍尔电势，这种半导体薄片称为霍尔片或霍尔元件。 图 9.1.1 霍尔效应原理图 霍尔效应的产生是由于运动的载流子（电子）受磁场洛仑兹力作用的结果。假设薄片为N型半导体，当电流I通过霍尔片时，半导体中的载流子（电子）沿电流相反方向运动，令其平均速度为v。在磁场B作用下运动电子将受到洛仑兹力FL (9.1.1) 式中，e—电子所带电荷量；v—电子运动速度；B磁感应强度。 运动电子在洛仑兹力的作用下向前移动的同时将向侧面偏转，使得一边形成电子积累，另一边形成正电荷积累，于是在半导体两侧形成霍尔电场EH，该电场对运动电子施加一电场力FE (9.1.2) 式中，b—霍尔片的宽度；UH—霍尔电动势。 该电场力将阻止电子的继续偏转，当电场力与洛仑兹力相等时，电子积累达到动态平衡，即 (9.1.3) 由于电流密度J= (nev，n为N型半导体中的电子浓度，负号表示电子运动速度的方向与电流方向相反，则电流强度为 I= jbd= (nevbd (9.1.4) 所以， (9.1.5) 式中　d——霍尔元件厚度； I——激励电流； B——磁感应强度； RH——霍尔系数，RH=1/ne（m3·C-1），由载流材料物理性质所决定；； KH——灵敏度系数，kH＝RH/d（V·A-1·T-1），与载流材料的物理性质和几何尺寸有关，表示在单位磁感应强度和单位激励电流作用下霍尔电势的大小。 如果磁感应强度B和元件平面的法线方向成一角度时，则作用在元件上的有效磁场是其在法线方向的分量，此时 (9.1.6) 金属材料中自由电子浓度n很高，因此RH很小，使输出UH极小，不宜作霍尔元件。如果是P型半导体，载流子是空穴，若空穴浓度为p，同理可得UH＝IB/ped。因（其中ρ为材料电阻率；μ为载流子迁移率，μ=v/E，即单位电场强度作用下载流子的平均速度），一般电子迁移率大于空穴迁移率，可以获得很大的霍尔系数，因此霍尔元件多用N型半导体材料。另外，霍尔元件越薄（即d越小），kH就越大，所以通常霍尔元件都较薄。薄膜霍尔元件厚度只有1μm左右。 2．霍尔元件 （1）霍尔元件的结构 霍尔元件的外形如图9.1.2（a）所示，为一块矩形半导体单晶薄片（一般为4×2×0.1mm3）。如图9.1.2(b)所示，在它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，称为控制电流端引线（通常用红色导线），也称为控制电流（或称激励电极）。在薄片的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线（通常用绿色导线），称为霍尔电极，且电极宽度与基片长度之比要小于0.1，否则影响输出。霍尔元件的壳体是用非导磁金属，陶瓷或环氧树脂封装。 　　　9.1.2 （2）霍尔元件的基本电路 霍尔元件在测量电路中一般有两种表示方法，如图9.1.3所示。 图9.1.3 霍尔元件的符号 霍尔元件的基本电路如图9.1.4所示，激励电流I由电源E供给，R为调节电阻，调节激励电流的大小。霍尔元件输出端接负载电阻RL，它也可以是放大器的输入电阻或测量仪表的内