模电复习总结及四套试卷附详细解答.docVIP

杂质半导体中，多子浓度由杂质的含量决定，少子的浓度主要由温度决定。 PN结未加外部电压时，扩散电流等于漂流电流，加正向电压时，扩散电流大于漂流电流，其耗尽层变薄；加反向电压时，扩散电流小于漂流电流，其耗尽层变厚。?? 稳压二极管：利用反向击穿特性，rz（动态电阻）愈小，则击穿特性愈陡，稳压特性愈好。 场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的饱和区。 穿透电流 ICEO  是指基极开路，集电极与发射极之间加反向电压时，从集电极穿过基区流入发射极的反向饱和电流。ICEO是衡量三极管性能稳定与否的重要参数之一，其值愈小愈好。 ICBO和ICEO与温度密切相关。 IDO是vGS=2VT时的漏极电流 IDSS为饱和漏极电流，是vGS=0时耗尽型MOS管的漏极电流。 前者是增强型MOS管，后者是耗尽型MOS管。 复合管的连接原则：连接后各管内电流能顺利流通，且具有电流放大作用。 非线性失真 — 截止区:缩顶；可变电阻区:削顶 注意低频小信号模型： ① 只适用于低频小信号下。 ② 用来求变化量 或 交流分量(动态分量)。 ③ 各微变参数，与Q点有关，不是固定常数。 ④ 电流源“gmΔvGS” 方向和大小由ΔvGS决定 8、 共集电路常用作输入级 、 输出级、中间隔离（缓冲）级。 第一级为CC电路时，应考虑第二级输入电阻的影响， Ri = Ri1 当末级电路为CC电路时，应考虑末前级输出电阻的影响.，Ro = Ro n。 10、高频段，f fL , 则 ? ? 对数幅频特性(曲线)：20lg | AusH | = 20lg | Ausm | －20lg [1+( f /fH )2 ]1/2 (dB) 对数相频特性(曲线)： （) 变压器反馈式LC正弦震荡器： 一定要注意两个电感都要有耦合电容，防止静态工作点出现问题。 对于整流、滤波电路，一定要看清楚有无负载。 画波特图时，一定要看清楚是什么组态（特别注意共射放大电路）。 功放电路，看清楚求一个管子，还是两个管子的管耗。 对于P沟道的场效应管，当分析工作在哪个区时，只需要画出第三象限的转移特性曲线即可。 对功率放大电路的比较。 甲类功放：单管电路，功率转换效率很低（理想效率为25%）。（导通角=2） 乙类功放 单电源供电电路（OTL)：增加了一个大容量电容 （互补对称式） 双电源供电电路(OCL)： 导通角为 缺点：易产生交越失真。 注：OTL要求输入端的静态电压为Vcc/2，OCL电路的输入端不需要静态电压。 甲乙类功放：克服交越失真。（导通角在之间） （注意：当两个二极管有一个虚焊时，两个三极管就会因管耗过大而损坏）。 温度对三极管输入、输出特性的影响 Ube减小，和均增大。 当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数而产生的输出失真称为幅频?失真，由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为相频失真，这两种失真统称为频率失真或线性失真。 注意与晶体管非线性特性引起的饱和和截止失真不同。 17、A为开环增益，F为反馈系数； AF称为回路（或环路增益）； 1+AF称为反馈深度； 称为闭环增益。 负反馈只能抑制环路范围内的扰动，负反馈对输入信号中的噪声不起作用。 并联负反馈后的输入电阻是减小的，Rif=Ri/(1+AF )。在深度负反馈条件下， Rif ＝0(从求和点看进去)。 串联负反馈后的输入电阻是增大的，Rif=(1+AF)Ri。在深度负反馈条件下， Rif ＝ ? (从求和点看进去)。 通用运算放大器的输入级一般均采用差动放大器，其目的是稳定直流工作点，抑制零点漂移。主要运用的是参数对称的对管子。 低频转折频率的个数由放大电路中的耦合电容和旁路电容个数所决定，高频转折频率的个数由放大电路中的极间电容个数所决定。其数值则取决于各电容所在回路的时间常数。 为了得到良好的正弦波形，采取的的两个措施： （1）选频网络：让两个振荡条件只在某一特定频率满足，而在其它频率下至少有一个不满足。选频网络可以包含在基本放大器中，也可以设置在反馈网络中。（RC串并联电路构成正反馈，同时又起选频作用。） （2）稳幅环节：使环路增益随振荡幅度的增大而自动下降，并最终达到|AF|=1（振荡平衡条件）的稳定状态。 23、电感三点式振荡器的优点是电路容易起振，缺点是波形不太好。 （电感一定要接电容） 电容三点式振荡器的优点是波