《微电子设计导论》样卷1.pdfVIP

共4 页 第1 页 江 苏 大 学 试 题 （ 学年第一学期） 课程名称 微电子设计导论 开课学院 电 气 学 院 使用班级 电科 考试日期 年12 月 日 题 号 一 二 三 四 五 总 分 核查人签名 得 分 阅卷教师 名 姓 一、单项选择题 （12 小题，每小题 2 分，共 24 分） 请将正确选项前的字母填入 题中的圆括号内，否则不予记分。 （1）衡量电子填充能级水平的是（ ） Ａ 施主能级 Ｂ 费米能级 Ｃ 受主能级 D 缺陷能级 （2 ）目前，硅基CMOS 工艺的特征尺寸最高水平已经达到（ ）尺度。 A 、微米； B 、亚微米； C 、纳米； D 、深亚微米 号 学 （3 ）在当前高速计算和光纤通信中大量采用的化合物半导体器件是（ ）器 件。 A 、砷化镓； B 、碳化硅； C 、氮化镓； D 、氮化铝 （4 ）混合集成电路制造中，通常将膜厚（ ）的集成电路称为厚膜IC 。 A 、2 μm ； B 、1 μm ； C 、1 nm ； D 、2 nm （5 ）下列典型半导体制造材料中，禁带宽度最小的是（ ）。 级 A 、Ge ； B 、Si； C 、GaAs ； D 、SiO2 班 、 （6 ）在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压 业 叫（ ）。 专 A 、饱和电压 B 、击穿电压 C 、开启电压 D 、齐纳电压 （7 ）真空能级和费米能级的能值差称为（ ）。 A 、功函数 B 、亲和能 C 、电离电势 D 、激活能 （8 ）PN 结的空间电荷区是（ ）形成的。 A 、施主杂质 B 、受主杂质 C 、离子电离， D 、接触电势差 院 （9 ）对于P+N 结，势垒区宽度和电容主要由（ ）决定。 学 A 、NA 和 V； B 、ND 和 V； C 、NA+ND ； D 、NA-ND 在 所 （10）提高BJT 特征频率f T 的主要途径包括（ ）。 生 学 A 、减小基区宽度； B 、减小发射和集电结面积；C、减小RC ； D 、以上均包括