原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
InAs和InAsGaSb异质结的MOCVD生长和表征
183 Vol. 18No. 3
19979 CHINESE JOU RNAL OF LU MINESCENCE Sept. , 1997
InAs 和InAs GaSb/ 异质结的MOCVD 生长和表征*
周天明 张宝林 蒋 红 宁永强 李树纬 金亿鑫
( , 130021)
( TMIn) (AsH3)( TMGa) (T MSb) ,
M OCVD , /( 1. 54) GaAs GaSb
InAs InAs/ GaSb . , 500 620 ,
InAs . /2.5 , ( )
3 2
310 L / ol. InAs n , 2000 c /V. s. InAs/ GaSb
12 K PL 375 eV , 417 eV
.
InAs, MOCVD,
1 引 言
GaSb InAs - .
0.72 eV 0.35 eV, InAs , ,
. , GaSb InAs 0. 15 eV,
InAs/ GaSb , ,
[ 1]
Auger , ,
. InAs/ GaInSb (812 L )
[2]
( 1220 L ) HgCdTe .
[3] [4]
(NDR) , .
[5]
. MOCVD , GaAs GaSb InAs InAs/
GaSb , .
2 实 验
,
MOCVD GaSb GaAs GaSb InAs
InAs GaSb/ . (T MGa) (TMIn)
( ) ( 3) . 10%.
T MSb AsH T MGa T MIn
TMSb , - 12 17 - 10 .
0.02 . .
* 863
1997314
224 18
. 460 620 .
n-GaSb(Te) GaAs . GaSb ,
, GaAs GaSb . ( 100)
1102. GaSb GaAs ,
. 2 4÷
GaAs GaSb H SO
H2O2÷H2O= 5÷1÷1HCl÷HNO3÷CH3COOH= 4÷0.5÷24
. 2.
N
GaSb 1InAs
[6]
文档评论（0）