任务1.绝缘栅双极晶体管的识别和检测.ppt.ppt

* 项目四：变频器 * 任务目标 1．掌握绝缘栅双极晶体管元件的基本原理、主要参数、特性和变频器电路的工作原理 2．能识别和检测电路中绝缘栅双极晶体管元件和其它常用元器件 3．能熟练安装制作简易变频器电路 4．会使用示波器观察、分析调试电路 5．能熟练安装调试、使用维护变频器 6．会分析变频器典型故障现象并检修 7．能借助工具软件熟练画出电路图 项目四：变频器 * 课程简介 任务一 绝缘栅双极晶体管的识别和检测 任务二 交—直—交主电路的分析与调试 任务三 SPWM变频电路的分析与调试 项目四：变频器 任务四 变频器装置的安装与调试 任务五 交—交变频电路的分析与调试 * 任务目标 1 ．掌握绝缘栅双极晶体管元件的基本原理、主要参数、特性以及能用万用表测试管的好坏 2．掌握IGBT元件常用的驱动保护电路的原理 3．认识双向晶闸管的应用 课程简介 项目四：变频器 课程简介 任务一 绝缘栅双极晶体管的识别和检测 见实训项目4.1 * 任务分析 绝缘栅双极晶体管是变频器电路中主要的电力电子器件 课程简介 项目四：变频器 课程简介 任务一 绝缘栅双极晶体管的识别和检测 * 相关知识 一、绝缘栅双极晶体管（IGBT） （一）IGBT及其工作原理 （二）IGBT的特性与主要参数 （三）IGBT元件常用的驱动保护电路 二、IPM 课程简介 项目四：变频器 课程简介 任务一 绝缘栅双极晶体管的识别和检测 * 一 、绝缘栅双极型晶体管 IGBT：绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor) 。 兼具功率MOSFET高速开关特性和GTR的低导通压降特性两者优点的一种复合器件。 IGBT于1982年开始研制，1986年投产，是发展最快而且很有前途的一种混合型器件。 目前IGBT产品已系列化，最大电流容量达1800A，最高电压等级达4500V，工作频率达50kHZ。 在电机控制、中频电源、各种开关电源以及其它高速低损耗的中小功率领域，IGBT取代了GTR和一部分MOSFET的市场。 * 1. IGBT的结构 IGBT的结构如图1.7.1(a)所示。 简化等效电路如图1.7.1(b)所示。 电气符号如图1.7.1（c）所示 它是在VDMOS管结构的基础上再增加一个P+层，形成了一个大面积的P+N结J1，和其它结J2、J3一起构成了一个相当于由VDMOS驱动的厚基区PNP型GTR; IGBT有三个电极: 集电极Ｃ、发射极Ｅ和栅极Ｇ; 图1.7.1 IGBT的结构、简化等 效电路 与电气符号 一 、绝缘栅双极型晶体管 * IGBT也属场控器件，其驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种由栅极电压UGE控制集电极电流的栅控自关断器件。 导通：UGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 导通压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 图1.7.2 IGBT伏安特性 2.IGBT的工作原理 一 、绝缘栅双极型晶体管 * 绝缘栅双极型晶体管 及其工作原理 缘栅双极型晶体管的 特性与主要参数 一 、绝缘栅双极型晶体管 * （1）IGBT的伏安特性（如图a) 反映在一定的栅极一发射极电压UGE下器件的输出端电压UCE与电流Ic的关系。 IGBT的伏安特性分为:截止区、有源放大区、饱和区和击穿区。 图1.7.2 IGBT的伏安特性和转移特性 1、IGBT的伏安特性和转移特性 一 、绝缘栅双极型晶体管 * UGEUGE(TH)(开启电压,一般为3～6V) ；其输出电流Ic与驱动电压UGE基本呈线性关系； 图1.7.2 IGBT的伏安特 性和转移特性 1、IGBT的伏安特性和转移特性 （2）IGBT的转移特性曲线（如图b） IGBT关断： IGBT开通： UGEUGE(TH)； 一 、绝缘栅双极型晶体管 * 2、IGBT的开关特性 （1）IGBT的开通过程： 从正向阻断状态转换到正向导通的过程。 开通延迟时间td(on) ： IC从10%UCEM到10%ICM所需时间。 电流上升时间tr ： IC从10%ICM上升至90%ICM所需时间。 开通时间ton ： ton = td(on) + tr 图1.7.3 IGBT的开关特性 一 、绝缘栅双极型晶体管 * 2、IGBT的