固体发光2-1.ppt

第二章 发光材料及其特征 2.2 发射光谱（发光光谱） 在一定激发源的激发下，发光材料的发光能量或发光强度（也可用光子数目表示，都是相对值）按波长(或频率）的分布。 表征发光的主要性能指标 它类似人的指纹，是发光材料独具的特征。 光谱的形状决定于发射体——发光中心 稀土离子 过渡金属离子 Ti钛 Cr Mn 重金属离子 Sb Tl Bi铋 离子团 WO42- 线谱:光谱由许多强弱不同的谱线组成。实际上并非几何意义的线，而是有一定的宽度。 发射光谱的类型： 线谱 带谱：在一定波长范围内，发射能量的分布连续变化。 带谱 曲线A为示波器显示屏用Zn2SiO4:Mn2+ ，发黄绿光。曲线B为（Zn，Be）2SiO4:Mn2+ ，发偏红的白光 同样用Mn2+做激活剂，基质不同，发光相差很远。用不同的基质，可以获得几乎从蓝到红的各色发光 说明：晶格场对发光离子的能级有影响 例1 说明：ZnS:Cu有两种发光中心，一种发蓝光，一种发绿光，每一个谱带代表一个中心的发射。 通常，同一结构的发光中心的发射光谱可用Gauss函数描述。 ZnS:Cu光谱的形状可以分解为两个谱带的叠加。 注意：式中能量分布用频率表示，而不是用波长 例2 Eυ = Eυ0 exp[-a(υ-υ0)2] υ—频率，Eυ、Eυ0—频率υ,υ0处相对强度，а—与谱带宽度有关的常数，υ0-特征频率 三价稀土离子做发光中心时，晶格场对其能级的影响很小，光谱仍为线谱，且在不同基质中没有大的变化。 由光谱可确定发光中心是哪种稀土离子，从谱线的微小变化可以了解到晶格的作用，进而可以确定离子在晶格中的位置。 例3 晶体中分散的孤立分子、原子、离子或离子团的发光——分立中心发光 对半导体的情况，发射体是电子-空穴对——复合发光 复合发光需要用固体的能谱理论来分析发射光谱。 光的吸收系数随波长或频率的变化关系曲线，称为吸收光谱。 2.3 吸收光谱 当光照射到发光材料上时，一部分被反射、散射，一部分透射，剩下的被吸收。 只有被吸收的这部分光才对发光起作用。但是也不是所有被吸收的光的各个波长都能起激发作用。 研究哪些波长被吸收，吸收多少，显然是很重要的。 发光材料对光的吸收遵循： I(v)=I0(v)e-a（v）l （忽略其他能量损失） I0(v)——入射光强； I(v)——透射光强； l——样品厚度 a——吸收系数（不依赖光强、但随波长变化而变化） 光可被基质吸收（基本吸收带或本征吸收带），也可被激活剂和其他杂质吸收。 注意：a的量纲是cm-1,光通过该物质1cm后，其强度将减至入射强度的1/ea。 是指发光的某一谱线或谱带的强度随激发光波长（或频率）的变化（用于光致发光）。 横轴代表所用的激发光波长，纵轴代表发光的强弱。 内涵：激发光谱反映不同波长的光激发材料的效果。 表示对发光起作用的激发光的波长范围。 吸收光谱只说明材料的吸收，至于吸收后是否发光，则不一定。 把吸收光谱和激发光谱相互对比，就可判断哪些吸收对发光是有贡献的，哪些是不起作用的。 2.3 激发光谱 监控波长——发射光谱中被监控的波长 激发光谱表明了哪些频率或波长的激发对发光是最有效的，在实际应用中有重要的意义。 如果激发光源的光谱峰值波长与发光材料的激发光谱峰值波长一致，就能够得到较高的发光效率。反之，当激发光源的光谱一定时，就需要选择具有合适激发光谱的发光材料。 有些材料，本来不能用某一波长的光有效地激发，当材料中掺入其它杂质后，该杂质能更有效的吸收激发能量，传递给发光中心使其发光。 2.6 发光衰减 发光体在激发停止后会持续发光一段时间，这就是发光衰减（余辉）。它是发光现象的最重要特征之一，是区分发光现象和其他光发射现象的一个关键标志。 发光的持续反映了物质在激发态的滞留，持续时间对应激发态的寿命。 假定发光材料中某种离子被激发，激发停止后（t=0)，在某一时刻t共有n个电子处在某一激发能级，求dt时间内激发态电子减少的数目。 用a表示电子跃迁到基态的几率 A）分立发光 ——自发跃迁几率 设E2上粒子数(密度)为n2 , 时间dt内、单位体积内自发从E2跃迁到E1的粒子数为 dn21 a是粒子能级结构的特征量(对一种粒子的每两个能级来说是常量) 分离变量： 由此可以得到 n0是激发停止时（t=0）已被激发的电子数 （公式2） 设在dt时间内跃迁到基态的电子数目为dn，则 dn = -a n dt （公式1） 可见: 高能级上的粒子数随时间t按指数律衰减。 可以证明：电子在激发态的平均寿命就是τ = 1/a 。 n0是初始时刻（t=0）被激发的电子数，已知寿命是指电子数变为初始电子数