实验14半导体变温霍尔效应.pdf.PDF

近代物理实验 —— 物理实验教学中心 实验 14 半导体变温霍尔效应 引 言 1879 年美国物理学家霍尔（E. H. Hall ）在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时， 发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”。后来曾 有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器，但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应 用。20世纪60年代以来，人们先后发现或制成了N型锗、锑化铟、磷砷化铟等霍尔系数很高 的半导体材料，以此制成了灵敏度很高的霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到实用和发 展，现在广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。在电流体中的霍尔 效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。近年来，霍尔效应实验不断有新发现。 1980 年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统的输运特性，在低温和强磁场下发 现了量子霍尔效应，这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。目前对量子霍尔效应正在进行 深入研究，并取得了重要应用，例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测量光谱精 细结构常数等。在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中，霍尔效应及其元件是不可缺少的， 利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。 实验目的 1 了解半导体中霍尔效应的产生机制 2 掌握霍尔系数和电导率的测量方法 3 掌握动态法测量霍尔系数及电导率随温度变化的实验方法 实验原理 1 半导体的电导率   一般电场情况下，半导体的导电服从欧姆定律：j E —— 为电导率 半导体中可以同时有两种载流子 —— 电子和空穴载流子  电流密度：     j nqv pqv —— v , v 分别为空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度       v  E   平均漂移速度和外场的关系：  ——  ,  是空穴和电子的迁移率    v E  ,  —— 单位电场下载流子的平均漂移速度      电流密度：j nq E pq E   电导率：  nq pq   载流子的漂移运动是电场加速和半导体中散射的结果 —— 散射来自于晶格振动和杂质 温度较高时 —— 晶格振动对载流子的散射是主要的 温度较低时 —— 杂质的散射是主要的 1 近代物理实验 —— 物理实验教学中心 迁移率一方面决定于有效质量（加速作用），另一方面决定于散射几率。 2 半导体霍尔效应和霍尔系数 如右图所示，将半导体片置于X Y 平面，电流沿X 方向， 磁场垂直于半导体片沿Z 方向。空穴导电的N 型半导体，载 流子受到的洛伦兹力：    F (q )v B —— F qv B y x z 在半导体片的两端形成正负电荷的积累，产生静电场E