实验室简报第八期-硅材料国家重点实验室-浙江大学.PDF

2014年第5期（总第八期） 硅硅材材料料 国国家家重重点点实实验验室室 057 1 科研进展 硅材料国家重点实验室办公室 State Key Laboratory of S ilicon Materials 简报 http :// silab .zj u .edu .cn 20 14年11- 12月 有关热 电材料最新研究成果在高水平期刊发表 在新型分离膜方面取得系列进展 一种新型的量子点发光二极管 硅材料 国家重点实验 室(材料学院)赵新兵教授课题 面 向环境领域对 高性能纳米尺度分 离膜 的重 大需 LED作 为下一代照明与显示的核心器件 已被业 组朱铁军教授指导的博士生付晨光在开发新型 高温热电 求，硅材料 国家重点实验 室彭新生课题组主要针对流体 界认可。GaN外延生长量子阱的LED器件则是 目前市 材料方面的研 究取得重要进展，相关成果最近连续在 国 物质在 纳米 空间的传输及界 面问题 、利用功能纳米材料 场上的流行产品。但是，GaN外延生长量子阱需要 际著名学术期刊Adv. Energy Mater. (IF= 14.385)和 构筑超薄纳米孔分 离膜，获得分 离效率是传统分 离膜1- 超 高真 空、超 高纯度原料 、超 密度 电能消耗等条 Energy Env iron. Sc i. (IF= 15.49)上发表 。 2个数量级， 并与清华大学的徐 志平教授、浙江大学金 件 。与GaN量子阱LED不 同， 有机发光二极管 热 电材料是一种 能实现热-电直接相互转化的能源材 传洪教授合作， 结合理论计算揭示 了水及有机溶剂在相 （OLED）器件的发光 中心为有机分子， 因而可 以用 料 。赵新兵教授课题组长期致力于开发新型 高效的高温 应纳米孔道 中的传输行为机理， 拓展 了纳米材料与技术 要求较低的真 空条件制备，但 热稳定性和化学稳定 热电材料 。 目前 国际上N型Z rN iSn基ha lf-Heus ler高温 在分 离膜领域的应 用。相关结果最近连续发表在Nat. 性一直是一个棘手的问题 。QLED有望结合GaN量子 材料的热电优值ZT已达到1以上，但开发高性能的P型 ha lf-Heus ler热电材料一直面临 巨大的挑战。 Commun.，ACSNANO， Chem. Commun.等 国际期刊，授 阱LED与OLED两者的优势。但是， 虽然经过科学工 付晨光博士生首先通过 电子能带结构计算发现， 权专利2个 。具体 包括： 作者20年的不懈努力，QLED的综合性能—— 包括 效 Fe (V,Nb)Sb基ha lf-Heus ler合金 固溶体 的价 带存在 多 孙 陆威博士后，黄虎彪硕士，应玉龙博士利用单一 率、寿命、加工工 艺——还远 落后于人们的期待 。 兼并能谷，具有 高热电性能的潜力。基于此计算， 实验 原子厚的二维层状材料纳米片及纳米线制孔技术获得超 这主要 由于量子点与QLED器件适配性和QLED特殊结 采 用高含量T i掺杂获得 了高性能的新型p型 快水过滤的二维层状材料构筑的分 离膜