新型非易失性存储器的抗辐射能力研究进展-太赫兹科学与电子信息学报.PDF

第 14 卷 第 6 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．14，No．6 2016 年 12 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Dec．，2016 文章编号：2095-4980(2016)06-0966-06 新型非易失性存储器的抗辐射能力研究进展 刘 洋 ，辜 科 ，李 平 ，李 威 (电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054) 摘 要 ：通过研究铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器 4 种新型非易失性 存储器的抗辐射能力，总结了每种非易失性存储器的总剂量效应和单粒子效应。针对总剂量效应 和单粒子效应进行了对比与分析，得到了目前的新型非易失性存储器的抗辐射能力仍然取决于存 储单元以外的互补金属氧化物半导体(CMOS) 外围电路的抗辐射能力。该结论为抗辐射非易失性存 储器的研究提供了参考。 关键词 ：非易失性存储器 ；辐射效应 ；总剂量效应；单粒子效应 ；抗辐射加固 中图分类号 ：TN386.1 文献标志码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201606.0966 Research progress of the radiation response of new non-volatile RAMs LIU Yang，GU Ke，LI Ping，LI Wei (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Device，University of Electronic Science and Technology of China， Chengdu Sichuan 610054，China) Abstract：The radiation responses of several new non -volatile Random Access Memory safety(RAMs)， namely Ferroelectric Random Access Memory(FeRAM)，Magnetic Random Access Memory(MRAM)，Phase Change Random Access Memory(PCRAM) and Resistive Random Access Memory(RRAM) are investigated. The total dose effect and single event effect of each kind of these new non-volatile RAMs are summarized and analyzed. A conclusion is drawn that the radiation response of these new non -volatile RAMs is determined by the radiation response of the Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS) peripheral circuit. This paper serves as a reference for the research and development of anti-ra