有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管.PDF

第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ， ２５ ４ Ｖｏｌ．２５Ｎｏ．４ 　 　 　 　 　 年 月 ， ２０１０ ８ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｕｉｄＣｒｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｌａｓ Ａｕ．２０１０ ｑ ｙ ｐ ｙ ｇ 文章编号： （ ） １００７２７８０２０１００４０５５８０３ 有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管 李桂锋，冯佳涵，周 俊，张 群 　 　 （复旦大学 材料科学系，上海 ２００４３３） 　 摘 要：利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜，薄膜表面平整。采用旋 　 涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层，成功制 备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明，所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式，薄膜晶 ２ －１ －１ ６ 体管的阈值电压为 ，迁移率为 · · ，开关比为 。 ３．８Ｖ ２５．４ｃｍ Ｖ ｓ １０ 关 键 词：薄膜晶体管；ＰＶＰ有机介质层；铟锌氧化物 　 　 中图分类号： ＋ 文献标识码： ＴＮ３２１．５ Ａ 　　　 犗狉犪狀犻犮犇犻犲犾犲犮狋狉犻犮犐狀犱犻狌犿犣犻狀犮犗狓犻犱犲犜犺犻狀犉犻犾犿犜狉犪狀狊犻狊狋狅狉狊 犵  ， ， ， ＬＩＧｕｉｆｅｎ ＦＥＮＧＪｉａｈａｎ ＺＨＯＵＪｕｎ ＺＨＡＮＧＱｕｎ ｇ （ ， ， ， ） 犇犲犪狉狋犿犲狀狋狅 犕犪狋犲狉犻犪犾狊犛犮犻犲狀犮犲 犉狌犱犪狀犝狀犻狏犲狉狊犻狋 犛犺犪狀犺犪犻 ２００４３３犆犺犻狀犪 狆 犳 狔 犵 　 ： 犃犫狊狋狉犪犮狋Ａｍｏｒｈｏｕｓｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗｅｒｅ ｒｅａｒｅｄｂ ｄｉｒｅｃｔｃｕｒｒｅｎｔｍａｎｅｔｒｏｎ ｐ ｐ ｐ ｙ ｇ （ ｓｕｔｔｅｒｉｎ ｏｎ ｌａｓｓｓｕｂｓｔｒａｔｅｓａｔｒｏｏｍ ｔｅｍ ｅｒａｔｕｒｅ．Ｔｈｅｏｒａｎｉｃｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｌａｅｒ ｏｌ ４ ｐ ｇ ｇ