测试操作说明.doc.doc

τg 、Sg测试操作 一、设备 二、样品：n-si衬底MOS结构 三、阶跃法测τg 、Sg 1．仪器预热（记录仪操作键均抬起时，开电源），C-V仪调零、校满度 2．样品插入C-V仪插座中（注意：小嘴标志处电极是栅电极，应插入左边输入孔） 3．C-V仪置“内偏置”，通过“准备←→记录”转换，观看驰豫时间数值。然后置“外偏置”，并接XFD-8输出。 XFD-8选“单阶跃”，幅度10V 4．记录仪： ●依驰豫时间大小，设置扫描速率S/cm； ●按下“servo”，按下“T.S”； ●X、Y均置“0”，则笔处于t轴，调“Position”，定笔起始位置。 5．XFD-8置单阶跃“正”；C-V仪，PF表应指示Cox (读取Cox值)。 6．记录仪： ●按下Y，即Y→mesa(对t扫描X始终置“0”)； ●按下“PEN”； ●按下“T.S/R”，”，按下“T.S/R”，则记录t轴。画毕，抬笔，并抬起“T.S”。 四、线性电压扫描法测τg 、Sg 1．XFD-8选连续三角波，幅度10V，半周期T1/2由α定，如选α=0.5V/S，则T1/2=40S。 2．C-V仪调零校满度后，置“外偏置”，并接XFD-8输出。 3．LM20A记录仪所有控制键均抬起，开电源。 准备：①X→“0”，10mV/cm ②Y→“0”，5mV/cm ③Servo→“ON” ④调X、Y“Position”，调好X、Y原点。 ⑤C-V仪插入MOS结构，小嘴标志栅电极，应插入左边输入孔 测量：①Y→“mesa”，” ②当笔往负向走，且又在正V轴部分，落笔；当笔从负端返回，画晚反型电容后，抬笔；期间注意读取PF表的Cox、CF、Cst或最小值的电容值。 ③X→“0”，下笔画出Y轴，画毕抬笔；X→“mesa”， Y→“0”， 下笔画出X轴，画毕抬笔. ④需记录其它α下的C-V曲线，则改变三角波幅值或T1/2，重复上述过程操作之。 注意： 1. C-V仪用时才开，用毕即关。画曲线前C-V仪PF表要准确校好“0”及“满度”刻度。 2．要严格按操作规程操作，操作重要用心、细小旋动（或扳）功能钮（或键），不得随意乱动。 BTC-V法测SIO2层中可动离子密度和固定电荷密度 一、BT处理 1．装置： 2．说明 （1）样品偏压由JWY-30B提供，所加电压由电表直读，量程转换开关所示的值，是该档所能给出的最大值。 （2）加偏压的样品置于温度可控的加热炉炉膛内。 （3）恒温控制：水银触点温度计，利用器可调铂丝触点与水银相接与否，控制电子继电器放大电路通与断（对应加热电路的断与通）。 （4）BT处理温度选择：旋动温度计顶端的内有磁铁的可旋转的柄，带动温度计内丝杆一起转动，从而调接连与丝杆的铂丝触点的位置，选择样品BT处理温度。 二、CTG-1型高频C-V特性测试仪使用说明 1．三只表头机械校零后，通电预热15分钟 2．偏压选择： “自动记录速度” →“关断” “偏置选择” →“内” “偏压 极性 量程” →“负→正”；“10V” （注：此时输入为零电位，调节手轮，输出可由-5V变至+5V，，，，），） “XJ4810型半导体管特性图示仪”使用须知 ○测量被测管首先了解是PNP或NPN，然后将仪器置于相应极性。 在未知的情况下，可将输出电压调至较小值进行判别。 ○基极注入阶梯电流（电压）应注意： 1．注入电流（电压）应与被测管的功率、最大集电极电流相适应，一般情况注入电流由小逐档增加（同时应估算上述二指标不致电流、功率击穿） 2．“电流/度”应与阶梯电流（电压）相适应，一般情况应以大量程再逐档调至需要档级。 ○“功耗限制电阻”作用大，它除测量饱和电压（如UCER））， 注意事项： 1．要适当选择基极阶梯电流的大小，如果测试小功率晶体管时，阶梯电流一般选小于0.5mA/级，功耗电阻大于50Ω，否则容易损坏被测管。 2．切忌在峰值电压调节未置于逆时针旋到底位置时（0%），直接加大峰值电压范围，例如从0-10V改为0-100V，这样极易将被测管损坏。峰值电压调节应从0慢慢增大。 3．测试单只晶体管时，应直接使用“左”或“右”，避免使用“二簇”状态。 4．如果要精确读出被测管的β和Iceo（或场效应管的gm，）， 实际器件测试参见“测试说明” 测量样品的管脚识别 我们的测试时选择了有代表性的四种管子，分别是：3DJ7F，3D01G，3DG6C，3AX21。下面我们来看看几种管子的特性。 3DJ7F：3DJ7F是一种结型N沟道高跨导场效应管，主要用于直流放大，线性放大，可调电阻。它的管脚图如图4（1）。 图4(1) 3DJ型 图4(2) 3DG型 图4(3) 3D01G 图4(4) 3AX21型