离子束沉积（IonBeamDeposition）-深圳市京泓威真空技术有限公司.PDF

Thin-Film Deposition processes and Technologies 薄膜沉积工艺及技术 第 11 章 离子束沉积 （Ion Beam Deposition ） John R. McNeil, James J. McNally, and Paul D. Reader 1.0 简介 表面离子轰击用于薄膜沉积已经有十多年了。离子轰击的数量和类型主要会影响薄膜结构和 成分，从而决定了薄膜的光学，机械和电子特性。有很多技术可用来获得轰击，其中一些技术很 简单。 不过， 宽束考夫曼离子源对临界参数（如，离子流，能量，粒子和入射角度）的控制度 最高。因为离子源的放电是独立的并可以从沉积系统内拆除。这是其他离子轰击技术在薄膜沉积 中所不具备的。本章的讨论只限于宽束考夫曼离子源的应用。 2.0 概述离子束应用 本章主要讲述离子源的结构并引用特定的例子来说明影响工艺设计的操作特点。 典型的离子源是由电极，磁场，离子加速栅极和发射器作适当排列而组成并进行封装，对工 作气体做电子轰击来维持电离。这些元件的排列会因很多不同的实验而有很大的差异，甚至鉴于 分析研究的不同更是天壤之别。所以这些结果就会提出不同的论点来编织什