第八章光刻与刻蚀工艺xg.ppt.ppt

第八章 光刻与刻蚀工艺 内容提要 §8.1 概述 §8.2 光刻胶及其特性 §8.3 曝光技术 §8.4 掩模版的制造 §8.5 ULSI对图形转移的要求 §8.6 腐蚀方法 §8.7 等离子体腐蚀 §8.8 反应离子刻蚀与离子溅射刻蚀 第八章 习题 1、简述常规光刻工艺过程。 2、光刻胶的组分有哪些？正性光刻胶和负性光刻胶的区别在哪？ 3、简述三类光学曝光系统的优缺点。 4、比较三种干法刻蚀方法。 相移掩模技术的关键是在掩模的透光区相间地涂上相移层，并使用相干光源。这使透过相邻透光区的光线具有相反的相位，从而使其衍射部分因干涉作用而相互抵消。 相移掩模技术对制版技术提出了新的要求，如相移材料的选择、制备与加工，制版软件中对相移层图形的设计等。 掩模版 掩模处的光幅度 衬底处的光幅度 衬底处的光强度 相移掩模 普通掩模 §8.5 ULSI 对图形转移的要求 一、ULSI 对图形转移的要求 1、图形转移的保真度要高 刻蚀转移图形的三种常见情况 （a） （b） （c） 设纵向刻蚀速率为 vv ， 横向刻蚀速率为 vl 。刻蚀的各向异性可用A 来表示，即： （8.37）