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- 2017-05-27 发布于贵州
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实验6MESFET功率放大器设计规划:小信号法
第七讲 功率放大器设计
MESFET 功率放大器设计:小信号法
作者: Al Sweet
基本工程问题: 没有大信号器件模型,怎样设计功率放大器?
*许多器件供应商不提供其器件的大信号模型.
*通常提供的唯一设计数据是器件的小信号S参数和静态IV曲线.
*利用前面STEVE CRIPPS 介绍的负载线法,根据这些数据足以设计第一类的功率放大器.
功率放大器是大信号器件,因为在接近功率饱和时其特性呈现非线性。但许多场合,设计师仅有一组小信号S参数,在电路仿真时,作为表示有源器件的根据。由于这些S参数只适用于小信号,在大信号时怎样设计最大射频输出功率和线性,并不清楚。Steve Cripps提出一种方法,可以用器件的静态IV曲线确定大信号负载线阻抗(RL),设计第一类放大器。RL用做目标阻抗,即用输出匹配电路表示的管子漏极负载。用该方法设计师可以对RF最大输出功率优化输出电路,同时对最佳输入匹配和最大增益优化输入电路。通常输出匹配较差,这是因为为了输出最大RF功率,有意造成一定失配(即:输出匹配对RL优化,而不是对器件的S22优化)。
该方法的局限性
*仅对最大Ps
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