IGBT管性能及应用讲座.docVIP

IGBT管性能和应用讲座 ???(a)中可以看出．它是?由一个N沟道的MOSFET和一个PNP型GTR组成，它实际是以GTR为主导元件，以MOSFET为驱动元件的复合管。图2—24(b)的符号中，G代表栅极，C代表集电极，E代表发射极，P沟道的IGBT符号的箭头方向与此相反。????绝缘栅双极晶体管从1986年至今，发展得非常迅速、日前已经被广泛的应用于各种逆变器中，成为取代GTR的理想开关器件。???????一．绝缘栅双极晶体管的特性和参数????绝缘栅双极晶体管的输出特性类似于GTR的输出特性，绝缘栅双极晶体管的转移特性类似于MOSFET的转移特性，这里不再叙述。??????1．通态电压降????图2—25为高速IGBBT(50A／600?V)和高速MOSFET(50?A／500V)的通态电压降比较。MOSFET的通态电压降在全电流范围内为正温度系数、而IGBT通态电压降在小电流范围内为负温度系数，在大电流范围内为正温度系数。?????2．关断损耗????图2—26是在感性负载时，高速IGBT与MOsFET的关断损耗与集电极电流的关系。由图可知*常温下，IGBT的关断损耗与MOSFET的大致相同。高温时，MOSFET的关断损耗基本不变，与温度无关，而IGBT则不然，温度每增加100℃，损耗增大约2倍。因此，IGBT的关断损耗要大些。 ???????3.开