厚薄膜材料与器件 第二章 薄膜制备的基础理论09..pptVIP

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  • 2017-05-30 发布于浙江
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厚薄膜材料与器件 第二章 薄膜制备的基础理论09..ppt

厚薄膜材料与器件 第二章 薄膜制备的基础理论09.

第二章 薄膜的基础理论 ;薄膜形成的过程主要包括三个环节:;1. 单体的吸附 一个原子或分子从气相到达基片表面,再被吸附住,是一个比较复杂的过程,涉及以下几方面的问题: (1)基片表面的位能分布 (2)气相原子在基片表面的吸附 (3)吸附原子在基片表面上的状态 ;(1)基片表面的位能分布;从晶体学方面来看,基片表面的位能分布是周期性的。但因存在缺陷而有一定的偏离。 基片的表面层原子排列有很大的畸变,晶格的周期性受到严重破坏,因而它的表面位能分布偏离周期性较多。; 物理吸附;根据固体理论,基片表面对吸附原子的吸附能为:;由于基片表面各处的原子密度不同、结构和缺陷情况各异,所以各处的物理吸附能有所不同。 随着温度升高,基片表面原子和吸附原子的热振动加剧,因而增大了它们之间的距离,物理吸附能有所减小。 在发生物理吸附时,第一个原子层或分子层与基片表面间的结合能是本征吸附能。 随着吸附层数的增多,相邻两层间的结合能逐渐由本征吸附能变为近于被附物本身的内聚能,其接近于被吸附材料的汽化潜热。; 化学吸附;有的分子虽不能与基片原子生成化合物,但其由于被吸附的分子被扭曲,其化学性质也会发生变化。 化学吸附的产生,取决于基片表面和被吸附气体的化学活性。 化学吸附有两种:非活化吸附和活化吸附。;对于活化吸附,往往是物理吸附为前奏,而后才转为化学吸附。其转变的条件是外界提供活化能。这种化学吸附的速度与温度的关系符合阿亨尼丝(Arrhenius)方程:;(2)气相原子在基片表面的吸附 以一定的速度撞击基片表面的原子能够被吸附的条件是,撞击原子能快速交出多余的动能。否则将被反射回气相。 对气体原子与基片表面间能量交换的程度,用适应系数(或称调整系数)“?”表示。其是描述气相原子(或分子)与基片表面碰撞时相互交换能量能力的参数。定义:; (3)吸附原子在基片表面上的状态; 2. 小原子团的形成 初始阶段形成小原子团。这些小原子团处在边形成、边分解、又生长、又蒸发的复杂过程中。 整个过程分:初始凝结→小原子团→临界晶核.;; 3. 薄膜的形成 薄膜的形成过程如下: (1) 单体的吸附; (2) 大小不同的各种小原子团(或称胚芽)的形成; (3) 形成临界核; (4) 捕获其周围的单件,临界核长大; (5) 稳定核长大到相互接,彼此结合后形成新的小岛; (6) 在新暴露的表面上吸附单体,发生“二次”成核; (8) 小岛长大成大岛,并最终相互联合; (9) 形成带有沟道和孔洞的薄膜; (10) 产生“二次”或“三次”成核,逐渐形成连续薄膜。;薄膜生长模型; 薄膜的结构分: (1)薄膜的组织结构 无定形结构 包括无定形结构和类无定形结构。;无定形结构常称“无序结构”。这种结构原子排列近程有序、远程无序,显示不出任何晶体的性质,因此有时也称为玻璃态。 类无定形结构是由无规则排列的极微小的(2nm)晶粒所组成。由于这种薄膜的晶粒极其微小,所以它的衍射图象发生严重弥散而类似于无定形结构,因此将它称为类无定形结构。;无定形结构薄膜SEM照片及X射线衍射图谱; 多晶结构 由无规则取向的微晶组成,晶粒尺寸一般为10~100nm。故这种结构的薄膜常称为微晶薄膜。目前制备的薄膜的晶粒在基片平面上粒径可达数百nm。 纤维结构 晶粒具有择优取向,依其取向的方向数目分为单重纤维结构和双重纤维结构。前者只在一个方向上择优取向,后者在两个方向上择优取向。 单晶结构 该结构多在外延中形成,故将这种结构的薄膜称为“外延膜”。;薄膜显微照片;(2) 晶体结构 薄膜的晶体结构与体材料相同,但常出现异常结构,如“介稳结构”和“超结构”等。 薄膜中晶体的晶格常数通常不同于块体材料。因为: 薄膜材料的晶格常数与基片的不匹配; 薄膜中有较大的内应力和表面张力,使薄膜与基片界面处的晶格发生畸变。 理论分析表明: 若薄膜与基片的结合能很强,当晶格常数相差百分比(af-as)/ af ? 2% 时( af、as分别为薄膜材料和基片的晶格常数),则薄膜界面处的畸变区厚度可达到零点几纳米; 当相差百分比为4%左右时,则可达几十纳米;当这个比例值大于12%时,靠晶格畸变已经达不到匹配,这时只有靠棱位错来调节。; 设在基片上有一半球形晶粒,其半径为r,单位面积的表面能为?。由于表面张力,对这个晶粒产生的压力为f=2? r?,承受此力的面积为s=? r2,压力强度为 P=2? r?/? r2= 2?/r。 根据虎克定律有 故晶格常数的变化为 可见,晶格常数的变化比(即应变)与晶粒半径成反比,即晶粒越小,晶格常数的变化比越大。 这表明,薄膜材料的晶格常数与块体材料差

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