3载流子输运现象半导体器件物理.pptxVIP

载流子输运现象;本章内容;迁移率（mobility） ;迁移率的导出; 半导体中的电子会在所有的方向做快速的移动，如图所示.; 当一个小电场E施加于半导体时，每一个电子会从电场上受到一个-qE的作用力，且在各次碰撞之间，沿着电场的反向被加速。因此，一个额外的速度成分将再加至热运动的电子上，此额外的速度成分称为漂移速度(drift velocity); 电子在每两次碰撞之间，自由飞行期间施加于电子的冲量为-qEτc，获得的动量为mnvn，根据动量定理可得到 ;最重要的两种散射机制：;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;连续性方程式（continuity equation）;前两个成分可将薄片每一边的电流除以电子的带电荷量而得到，而产生及复合率则分别以Gn及Rn表示之。薄片内所有电子数目的变化速率则为 ;因此，电子的基本连续性方程式为 ; 对一维的小注入情形，少数载流子（亦即p型半导??中的np，或n型半导体中的pn）的连续性方程式为 ;除了连续性方程式外，还必须满足泊松方程式：; 如图显示一个n型半导体由于光照而使得超量载流子由单边注入的情形。假设光的穿透能力很小而可忽略（亦即假设对x0而言，电场及产生率为零）。在稳态下，表面附近存有一浓度梯度，由;半导体内少