第章Flash设备驱动.ppt

第24章 Flash设备驱动 24.1 Linux Flash驱动结构 24.2 Flash设备基础 24.3 内核MTD层 24.4 Flash设备框架 24.5 Flash设备驱动实例——NOR Flash设备驱动剖析 24.6 Flash设备驱动实例——NAND Flash设备驱动分析 24.1 Linux Flash驱动结构 24.1.1 什么是MTD 24.1.2 MTD系统结构 24.1.1 什么是MTD Linux内核设计了一个MTD（Memory Technology Device，内存技术设备）结构支持Flash设备，只要按照MTD的要求设置Flash设备的参数并提供驱动，就可让Flash设备工作。 MTD是Linux内核为支持闪存设备的一个驱动中间层。对内核其他部分来说，MTD屏蔽了闪存设备的细节；对于闪存设备驱动来说，只需要向MTD中间层提供接口就可以向内核提供闪存设备支持。 JEDEC CFI OOB ECC EraseSize BusWidth NAND NOR 24.1.2 MTD系统结构 Linux内核MTD设备相关代码在drivers/mtd目录下，设计MTD的目的是让新的闪存设备使用更简单。MTD设备可以分为4层。 1．设备节点层 2．MTD设备层 3．MTD原始设备层 4．硬件驱动层 1．设备节点层 通过mknod命令可以在/dev目录下建立MTD字符设备节点（主设备号90）和MTD块节点（主设备号31），通过设备节点可以访问MTD字符设备和块设备。 2．MTD设备层 MTD设备层基于MTD原始设备，向上一层提供文件操作函数，如lseek()、open()、close()、read()、write()等。MTD块设备定义了一个描述MTD块设备的结构mtdblk_dev，并且声明了一个mtdblks数据用于存放系统所有注册的MTD块设备。MTD设备层代码存放在drivers/mtd/mtd_blkdevs.c和drivers/mtd/mtdchar.c文件内。 3．MTD原始设备层 MTD原始设备层由两部分组成，一部分包括MTD原始设备的通用代码，另一部分包括特定的Flash数据，如闪存分区等。MTD原始设备的mtd_info结构描述定义了有关MTD的大量数据和操作函数。 drivers/mtd/mtd_core.c 全局变量mtd_table作为MTD原始设备表 drivers/mtd/mtd_part.c 全局变量mtd_part作为MTD原始设备分区结构，包含mtd_info结构。每个分区作为一个原始设备。 drivers/mtd/maps目录 存放特定的闪存数据，该目录下每个文件对应一种类型开发板的闪存。调用函数add_mtd_device( )可建立一个mtd_info结构并加入到mtd_table中。del_mtd_device函数可从mtd_table中删除一个闪存设备。 4．硬件驱动层 该层负责在系统初始化的时候驱动闪存硬件。 Linux内核的MTD设备中，NOR Flash设备遵守CFI结构标准，其驱动代码放在drivers/mtd/chips目录下。 NAND Flash设备驱动代码放在drivers/mtd/nand目录下。 一个MTD原始设备通过mtd_part结构分成多个MTD原始设备，然后注册到mtd_table中。 mtd_table中的每个MTD原始设备都可以注册为一个MTD设备，字符设备的主设备号为90，次设备号奇数代表只读设备，偶数代表可读写设备；块设备的主设备号为31，次设备号为连续的自然数。 4．硬件驱动层 24.2 Flash设备基础 24.2.1 存储原理 24.2.2 性能比较 24.2.1 存储原理 24.2.2 性能比较 NOR闪存的特点是支持片内执行，程序可直接在上面运行而不必加载到RAM。NOR闪存的读取速度很快，但容量通常不大；其写入速度很慢，不利于大量数据存储。 NAND闪存的特点是存储密度高，写入和擦除速度都比NOR Flash快，适合大数据量存储。NAND闪存需要特殊的存储电路控制，且只有空或擦除后的单元才能写入数据，因此必须在写入数据之前先擦除块。 NOR闪存在擦除块之前必须把所有的数据写为0.NOR按照64KB~128KB为一块擦除，平均时间5S NAND闪存擦除以8KB~32KB为单位擦除，时间4ms左右。 NAND的写入速度高于NOR； NOR的读速度高于NAND； NAND的擦除速度远高于NOR； NAND的擦除单元小，因此需要的擦除电路也会减小。 NOR闪存带有SRAM接口，有足够引脚寻址，可读取内部每个字节；NAND闪存串行读取数据，复杂复杂的I/O电路